DS855——相位调制直接数字频率合成器

2018-09-12 10:54:20

ds855是高速直接数字频率合成器（DDS）与一个32位频率调谐分辨率，11位相位调制输入和11位的幅度分辨率。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.2 GHz（在2.5GHz时钟速率）。初始相位可以重置为零度的正弦波开始。

8.0 - 12.0 GHz 集成CMOS驱动器6位数字移相器MAPS-010166

2018-09-11 14:57:04

MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°，提供从0°到360°的相移，步长为5.6°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

MAPS-010165 航空航天与国防GaAs pHEMT 6位数字移相器3.5 - 6.0 GHz

2018-09-11 14:49:57

MAPS-010165是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°，提供从0°到360°的相移，步长为5.6°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

2.3 - 3.8 GHz 相控阵雷达6位数字移相器MAPS-010164

2018-09-11 14:47:49

MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°，提供从0°到360°的相移，步长为5.6°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

1.4 - 2.4 GHz 通信天线GaAs pHEMT 6位数字移相器MAPS-0101631.4 - 2.4 GHz

2018-09-11 14:19:31

MAPS-010163是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，提供从0°到360°的相移，步长为5.6°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

8.0 - 12.0 GHz相控阵雷达4位数字移相器MAPS-010146

2018-09-11 14:13:54

MAPS-010146是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

MAPS-010145航空航天GaAs pHEMT 4位数字移相器

2018-09-11 14:03:14

MAPS-010145是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

MAPS-010144相控阵雷达GaAs pHEMT 4位数字移相器

2018-09-11 13:58:37

MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

低直流电耗4位数字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44

MAPS-010143是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

DS856-高速3GHz直接数字频率合成器

2018-09-10 14:44:09

DS856是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.6 GHz（在3.2-GHz时钟速率）。

DS852——高速2.2 GHz直接数字频率合成器

2018-09-10 14:37:52

DS852是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，幅度分辨率为11位。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.1 GHz（在2.2-GHz时钟速率）。初始阶段可以重置为零度开始。该芯片有一对互补输出50Ω后端。

DS707——高速啁啾直接数字频率合成器

2018-09-10 14:30:12

DS877是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(对于第一奈奎斯特频带)和归零模式(对于第一、第二和第三奈奎斯特频带)操作之间选择。

DS88高速啁啾直接数字频率合成器

2018-09-10 14:26:13

DS878是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(对于第一奈奎斯特频带)和归零模式(对于第一、第二和第三奈奎斯特频带)操作之间选择。

超宽带高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42

我们报告了一种超宽带高功率高效率的GaN放大器。运行从100MHz到3000兆赫。最好的结果包括100W的输出功率，22dB增益，40%的功率增加效率从100MHz到3000兆赫。这个性能是通过裁剪两个设备来实现的。阻抗与独特的宽带电路匹配拓扑结构。二者详细设计技术将给出器件和匹配电路。

40-4000MHz宽带高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17

我们报告了一个高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之间。这个实现80W脉冲（100US脉冲宽度和10%占空比）MMIC循环）输出功率（P5dB），40MHz，50W效率为54%大约30%的效率在大部分的中间波段，以及在400MHz时，效率逐渐降低到30W，效率为22%。

使用具有独立栅极偏压控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

2018-09-06 15:19:40

GaN HEMT具有高输出功率密度和宽带宽下的高效率。但是GaN HEMT的线性度通常比GaAs器件的线性度差。本文提出了一种简单的方法来改善GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元，然后对子单元输出进行功率组合。

CMD273P3高隔离度低损耗宽带DPDT转换开关DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51

CMD273P3是一款低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。CMD273P3覆盖直流至12 GHz，在6 GHz时具有1.7 dB的低插入损耗和42 dB的高隔离度。CMD273P3采用0 / + 5 V互补控制电压逻辑线工作。

CMD272P3低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11

CMD272P3是一款低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。CMD272P3覆盖直流至10 GHz，插入损耗低至1 dB，6 GHz时的高隔离度为43 dB。CMD272P3采用0 / + 5 V互补控制电压逻辑线工作。

CMD215芯片形式通用宽带射频微波高隔离反射型MMIC SPDT开关DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57

CMD215是芯片形式的通用宽带RF /微波高隔离反射型MMIC SPDT开关。CMD215的直流电压为40 GHz，具有2.3 dB的低插入损耗和36 dB至20 GHz的高隔离度。

DC-18GHz宽带L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射开关CMD235C4

2018-09-05 17:01:31

CMD235C4是一款宽带RF /微波MMIC SP5T开关，采用无引脚4x4 mm表面贴装（SMT）封装。CMD235C4覆盖直流至18 GHz，在10 GHz时具有2.5 dB的低插入损耗和40 dB的高隔离度。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，它将所需的逻辑控制线数量从五个减少到三个。