高Q低ESR射频电容

封装：0201～1111

容量：0.1 pF–100 nF

Q值：1 MHz下≥2000

ESR：可低至1 mΩ

电压：25 V–3 kV

温漂：C0G 0±30 ppm/°C

频段：kHz–50 GHz

交期：6-8周

宽带定值射频电容

容量范围：0.5 pF – 120 nF

额定电压：1 kV – 10 kV

Q 值@1 MHz：≥ 2 000（部分型号 10 000）

ESR：10 – 300 mΩ

温度系数：0 ±30 ppm/°C

容差：±0.05 pF / ±0.5 % 至 ±0.1 pF / ±1 %

交期：6-8周

单层射频电容器

0.04 pF–10 nF

DC–100 GHz

Q≥1 000

0±30 ppm/°C 

50 V–1 kV

25 mil 耐脉冲 2 kV

全非磁性端接

交期：6-8周

高压射频电容

电容范围 0.5 pF ~ 2700 pF

额定电压 标准 2500V，扩展至 3600V

Q值 ＞10,000 @ 1 MHz

温度系数 C型：0±30 ppm/°C（-55°C~125°C），P型：+90±20 ppm/°C（-55°C~200°C）

交期：6-8周

通用定值射频电容器

容值范围：0.1 pF – 10000 pF

额定电压：10 V – 1 500 V 

介质类别：NP0/C0G（温度系数 0 ± 30 ppm/°C）；P90（+90 ± 20 ppm/°C）；聚碳酸酯（PC）

温度范围：−55 °C ~ +200 °C

容差：±1 %、±10 % 可选 

高频特性：Q 值高、ESR 低，工作频率可达 67 GHz

交期：6-8周

可调射频电容

电容范围：2.7 – 300 pF

额定电压：100 V – 150 V 

安装方式：顶部与底部通孔

Q@1 MHz：150-200

温度范围：–40 °C ~ +85 °C

交期：6-8周