适用于1.0至40.0 GHz频率范围内空间应用的新型定向耦合器

2018-09-29 15:37:14

KRYTAR公司宣布推出一款新型定向耦合器，专为在1.0至40.0 GHz的超宽带频率范围内工作的空间应用而设计。KRYTAR的耦合器专为需要外部调平，精确监控，信号混合或扫描传输和反射测量的系统应用而设计。

North Hills Signal Processing宣布推出高速电缆隔离变压器

2018-09-29 15:19:37

North Hills 领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation 宣布推出新型高速电缆隔离变压器TF1500A15。North Hills TF1500A15变压器根据ANSI X3T11 FC-PH-3，SMPTE 292M，SAE AS5643 / 1和IEEE STD 1394b-2008的规范发送和接收信号。

North Hills Signal Processing宣布推出高速电缆组件

2018-09-29 15:18:02

North Hills 领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即将推出针对高速数据互连市场的新型高速接口电缆产品。

North Hills Signal Processing宣布推出用于SMPTE 292M HDTV应用的单平衡和双平衡变压器

2018-09-29 15:16:02

North Hills ​领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即将推出新型SMPTE 292M视频平衡 - 不平衡转换器。这些变压器使用Sabritec和BNC连接器将75欧姆同轴电缆连接到100欧姆平衡电路。

18W射频功率晶体管NPT35015D

2018-09-20 16:19:51

在MACOM，我们提供各种脉冲和线性RF功率晶体管产品 - 分立器件，模块和托盘，设计工作频率范围为DC至6 GHz。我们的高功率晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

氮化镓28V/50W MMIC功率放大器NPT1004D

2018-09-20 16:09:50

在MACOM，我们提供各种脉冲和线性RF功率晶体管产品 - 分立器件，模块和托盘，设计工作频率范围为DC至6 GHz。我们的高功率晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用MACOM 60多年的传统，提供使用双极，MOSFET和现在GaN技术的标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。

氮化镓28V/25W射频功率晶体管NPTB00025AB

2018-09-20 15:52:07

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

125W射频功率晶体管NPT25100P

2018-09-20 15:41:11

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

NPT2024国防L/S波段雷达宽带晶体管DC - 2.7 GHz

2018-09-20 15:31:50

NPT2024 GaN HEMT是一种宽带晶体管，针对直流 - 2.7GHz工作进行了优化，采用推挽式配置。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为行业标准塑料封装，功率为200 W（53 dBm）。NPT2024非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

NPT2020是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管

2018-09-20 15:27:47

NPT2020 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率超过50W（47 dBm），采用工业标准金属陶瓷封装，带有螺栓法兰。

NPT2018无线基础设施DC-3.5 GHz宽带晶体管

2018-09-19 17:28:28

NPT2018 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波，脉冲和线性工作，输出功率为12.5W（41 dBm），采用工业标准表面贴装塑料封装。

NPT1015B线性和饱雷达DC-3.5 GHz宽带晶体管

2018-09-19 17:25:24

NPT1015B GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率为45W（46.5 dBm），采用工业标准金属陶瓷封装，带有螺栓法兰。

NPA1007宽带GaN功率放大器20-2500 MHz

2018-09-19 17:23:10

NPA1007是一款宽带GaN功率放大器，针对20-2500 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作，输出电平为10 W（40 dBm），采用无铅6 x 5 mm 8引脚PDFN塑料封装。

NPA1006国防无线通讯宽带功率放大器12.5 W

2018-09-19 17:10:43

NPA1006是一款宽带GaN功率放大器，针对20 - 1000 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作，输出电平为12.5 W（41 dBm），采用无铅6 x 5 mm 8引脚PDFN塑料封装。

MATR-GSHC03-160150国防通信无线电宽带晶体管芯片

2018-09-19 17:05:51

MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一种宽带晶体管芯片，针对DC-3.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

MAGX-101214-500L00金属化射频功率晶体管 L波段脉冲雷达

2018-09-19 17:00:11

MAGx-101214-500L00是一种金属化的匹配氮化硅（GaN）硅（Si）RF功率晶体管，针对脉冲L波段雷达应用进行了优化。MAGX-101214-500L0x采用耐热增强法兰陶瓷封装，具有出色的散热性能。与较旧的半导体技术相比，高击穿电压允许可靠和稳定的操作。

MAGE-102425-300射频应用GaN功率晶体管50V 300 W

2018-09-19 16:47:33

MAGe-102425-300S00是一款RF Energy功率晶体管，针对2400-2500 MHz频率工作进行了优化。该器件支持CW和脉冲操作，在工业标准气腔封装中输出功率为300 W（54.8 dBm）。MAGe-102425-300S00非常适合CW应用，是一种高效，精确的热源和电源。

MSPD1012-H50混合电路采样相位检测器模块

2018-09-18 15:56:09

MSPD1012-H50采样相位检测器（SPD）模块是一个混合电路，提供快速步进恢复二极管，耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路，或者在频域中，肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。

MSPD1012-E50宽带采样相位检测器（SPD）完全集成模块

2018-09-18 15:03:56

MSPD1012-E50采样相位检测器（SPD）模块是一个混合电路，提供快速步进恢复二极管，耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路，或者在频域中，肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。

MSPD1012-122 军事宽带采样相位检测器

2018-09-18 14:51:12

MSPD1012-122系列表面贴装相位检测器采用MACOM经过验证的混合制造工艺制造，包括PIN，肖特基二极管和集成在陶瓷基板内的无源器件。薄型，紧凑的表面贴装元件（3.3 mm L x 2.8mm W x 1.5mm H）为带引线封装的类似芯片和导线分立器件提供卓越的RF和微波信号性能。