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AM005WN-00-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2020-01-03 14:45:22AM005WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。这是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可以用在低噪声、高动态范围接收器和大功率发射机。此部分符合RoHS。
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AM012WN-00-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2020-01-03 14:43:44AM012WN-00-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。这是赤裸裸的死亡它的工作频率可达15ghz。它可以提供典型的饱和功率为37.7 dBm。这部分是RoHS顺从。
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AM025WN-00-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2020-01-03 14:42:20AM025WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米（两个1.25毫米FET平行地）。这是一个裸模，可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型饱和功率数据库管理系统。此部分符合RoHS。
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AM005WN-BI-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2020-01-03 14:40:33AM005WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。在一个陶瓷里工作频率高达12ghz的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装，带有弯曲（BI-G）或直线（BI）导线采用落地式安装方式。法兰在包裹的底部同时充当直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
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AM012WN-BI-R功率放大器AMCOM产品原装库存
2019-12-31 14:32:35AM012WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。在一个陶瓷桶里可运行高达10千兆赫的软件包。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装，带有弯曲（BI-G）或直线（BI）导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
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AM025WN-BI-R功率放大器AMCOM产品原装库存
2019-12-31 14:31:23AM025WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米。在一个陶瓷里可在8千兆赫以下工作的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷弯曲包装（BI-G）或直线（BI）导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
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AM100WN-CU-R功率放大器原装库存
2019-12-31 14:29:58AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙边此部分的总门宽为10毫米。AM100WN-CU-R专为大功率设计微波应用，工作频率高达6GHz。系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
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AM13714530WM-SM-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-27 17:26:00AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz频段工作。它有超过30分贝的增益和30分贝输出功率。放大器被封装在带有射频和直流连接。设备的安装法兰有助于实现良好的散热效果通向接地散热器的路径。
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AM324036WM-EM-R放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-27 16:15:53AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分贝的增益和3.2至4.0GHz频段36dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装，具有射频和直流引线在较低层次的封装，以方便低成本的SMT组装到PC板。
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AM050WN-CU-R放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-27 16:13:52AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷边。此部分的总门宽为5mm。AM050WN-CU-R专为大功率设计微波应用，工作频率高达6千兆赫系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
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AM284233MM-EM-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-24 14:39:50AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分贝的增益和在2.8到4.2GHz频带上输出33dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装，有射频和直流引线在较低层次的封装，以方便低成本的SMT组装到PC板。
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AM304031WM-EM-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-24 14:09:04AM304031WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分贝的增益和31在2.6到4.8GHz频带上的dBm饱和输出功率。这个MMIC是一个陶瓷封装，射频和直流都有在较低层次的封装，以促进低成本的SMT组装到PC板。
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AM264240WM-EM-R功率放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-24 13:59:45AM264240WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。AM264240WM-EM-R在输入和输出端都与50欧姆完全匹配，覆盖2.6欧姆至4.2GHz。
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AM254038WM-EM-R放大器AMCOM品牌原装库存
2019-12-23 14:35:39AM254038WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。它与50欧姆的输入和输出完全匹配，覆盖2.4到4.4赫兹。该MMIC具有18dB的增益和38dBm的12V输出功率射频和直流引线位于封装的较低层，以便于将低成本的SMT组装到PC板上。
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AM244236WM-EM-R功率放大器AMCOM产品原装库存
2019-12-23 14:24:05AM244236WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分贝的增益和在2.4到4.2GHz频带上输出36dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装，有射频和直流引线在较低层次的封装，以方便低成本的SMT组装到PC板。
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AM204437WM-EM-R功率放大器AMCOM产品原装库存
2019-12-23 14:15:24AM204437WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。该放大器具有30分贝的增益和在2.2到4.2GHz频带上输出37dBm的功率。该MMIC采用陶瓷封装，射频和直流引线均位于较低层次的封装便于低成本的SMT组装到PC板上。
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AM184635WM-EM-R功率放大器AMCOM原装库存
2019-12-20 15:27:36AM184635WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有30dB增益和35dBmP1dB，在2.2到4.2GHz频段。这个MMIC是一个陶瓷封装，射频和直流引线都在较低的水平便于低成本的SMT组装到PC板上。
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AM254540WM-EM-R功率放大器AMCOM原装库存
2019-12-20 15:13:37AM254540WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这么高效率MMIC是一个2级GaAs-pHEMT功率放大器，偏置电压为10～13V。输入和级间匹配网络覆盖2.5到4.5GHz。这个MMIC需要输出外部匹配到您感兴趣的波段之间2.5GHz至4.5GHz提供最大带宽灵活性。
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AM183031WM-EM-R功率放大器原装库存
2019-12-20 15:02:38AM183031WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有30.5分贝的增益和在1.6到3.3GHz频带上的31.5dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装，具有射频和直流引线在较低层次的封装，以方便低成本的SMT组装到PC板。当直接安装到印刷电路板，请参见应用说明AN700。由于高直流功耗，我们建议将这些设备直接安装在金属散热器上。AM183031WM-EM是一个直引线的插入式封装。AM183031WM-FM-R是安装在镀金铜法兰托架上的AM183031WM-BM-R。有法兰上有两个螺孔，便于拧到金属散热器上。这个MMIC是符合RoHS的。
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AM183030WM-EM-R与HMC413有什么相同联系？
2019-12-18 14:27:00HMC413是ADI的一种频率范围为1.6～2.2ghz的高效率异质结双极晶体管MMIC功率放大器，AM183030WM-EM-R是amcom的GaAs-MMIC功率放大器。该放大器在1.6～3.3ghz频段内，增益为30.5db，输出功率为30.5dbm。为便于低成本SMT组装到PC板上，本发明属于一种低层封装中射频和直流引线的陶瓷封装。