X3C35F1-03S低剖面、高性能的3dB混合耦合器

发布时间:2020-04-13 11:37:47     浏览:2513

X3C35F1-03S是一种低剖面、高性能的3dB混合耦合器,采用一种易于使用、制造友好的表面安装组件。X3C35F1-03S是专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧密振幅和相位平衡的应用而设计的。它可以用于25瓦以下的大功率应用。零件经过严格的鉴定测试,并使用热膨胀系数(CTE)与常见基板(如FR4G-10RF-35RO4003和聚酰亚胺)兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS标准的浸锡处理工艺生产.

X3C35F1-03S低剖面、高性能的3dB混合耦合器

X3C35F1-03S特征:

3300-3700兆赫

高功率

非常低的损耗

紧密振幅平衡

高隔离度

生产友好型

磁带和卷盘

无铅

X3C35F1-03S重要参数

频率(GHZ):3.2 - 4.2

功率(W):25

回波损耗(dB):23

插入损耗(dB):0.20

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