X波段低噪声放大器_X波段低噪声放大器芯片_X波段低噪声放大器厂家

2018-11-05 14:31:26

X波段低噪声放大器芯片是噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

C波段PCS基站航空电子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空电子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的专利设备配置，用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为1mm。AM9005MH2-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6 GHz。它也是更大功率器件的理想驱动器。

S波段射频砷化镓场效应功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射频砷化镓场效应功率管AM300MX-CU-R，这一部分的总闸门宽度为30mm。AM300 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有直立的引线和凸缘的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

WLAN中继器S波段高功率微波射频晶体管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中继器S波段高功率微波射频晶体管AM200MX-CU-R，这一部分的总闸门宽度为20mm。AM200 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

C波段VSAT砷化镓场效应功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化镓场效应功率管AM150MX-CU-R ，这一部分的总栅极宽度为15mm。AM150 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。

L波段S波段大功率砷化镓功率场效应晶体管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化镓功率场效应晶体管AM100MX-CU-R，这一部分的总栅极宽度为10mm。AM100MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

P波段高功率微波应用砷化镓MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波应用砷化镓MESFET器件AM072MX-CU-R，这部分有一个全面的研究7.2mm门的宽度。在AM072MX-CU-R是自行设计的用于高功率微波应用，操作到6GHz。研究铜系列的照片，是在一个自行设计的陶瓷包装与直导和Cu / W的盖在一个下拉的安装方式。

L波段S波段高功率微波应用设计射频晶体管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波应用设计射频晶体管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射频晶体管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射频晶体管AM036MX-QG-R，这一部分的总栅极宽度为3.6mm。AM036MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。

L波段S波段射频晶体管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18

L波段S波段射频晶体管放大器AM024MX-QG-R ，这一部分的总栅极宽度为2.4mm。AM024MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装，所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。

S波段P波段晶体管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48

S波段P波段晶体管AM012MX-QG-R，这一部分的总栅极宽度为1.2mm。AM012MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装，所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。

L波段S波段射频晶体管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11

L波段S波段射频晶体管AM006MX-QG-R，这一部分的总栅极宽度为0.6mm。AM9006MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装，所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。

Ku波段射频晶体管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54

Ku波段射频晶体管放大器AM005WN-00-R，其总栅极宽度为0.5mm。这是一个裸模，可以运行到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可用于低噪声、高动态范围的接收机和高功率发射机的驱动器。这部分是符合RoHS标准的。

X波段Ku波段射频晶体管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32

X波段Ku波段射频晶体管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪声放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59

S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪声放大器芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波段）GaN低噪声放大器MMIC，。该宽带器件非常适合要求低噪声系数性能和高输入功率生存能力的应用。CMD290提供12.5 dB的增益，相应的噪声系数为2.3 dB，13 GHz时的输出1 dB压缩点为+19 dBm。

低噪声放大器CMD163军事K波段低噪声放大器芯片

2018-11-01 08:50:48

低噪声放大器CMD163军事K波段低噪声放大器芯片，是一款高动态范围GaAs MMIC低噪声放大器，非常适用于军事，空间和通信系统，其中小尺寸和高线性度是关键设计要求。该器件针对21 GHz进行了优化，可提供超过24 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+19 dBm，噪声系数为1.3 dB。

C波段VSAT射频晶体管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41

C波段VSAT射频晶体管AM025WN-00-R，其总栅极宽度为2.5mm（两个1.25mm的FET并联）。这是一个裸模，可以运行到15千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为40.5 dBm。

X波段Ku波段射频晶体管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13

X波段Ku波段射频晶体管AM100WN-00-R，其总栅极宽度为10mm（八个1.25mm的FET并联）。这是一个裸模，可以运行到15千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为46.1 dBm。

X波段Ku波段射频晶体管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35

X波段Ku波段射频晶体管AM050WN-00-R，

X波段射频晶体管C波段射频晶体管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12

X波段射频晶体管C波段射频晶体管AM005WN-BI-R，其总栅极宽度为0.5mm。它在陶瓷封装中运行可达12 GHz。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。