X波段射频晶体管C波段射频晶体管AM005WN-BI-R

发布时间：2018-10-31 16:06:12 浏览：2027

描述

AMCOM的AM00 5WN BI-R是一个离散的GaN/SiC HEMT，其总栅极宽度为0.5mm。它在陶瓷封装中运行可达12 GHz。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这部分是符合RoHS标准的。

品牌	型号	货期	库存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高达12 GHz的高频操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏极＝56% @ 3GHz。
表面贴装

有效散热的底部

应用
高动态接收机
蜂窝无线基站
宽带和窄带放大器
雷达
测试仪表
陆军
干扰机

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