使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强
发布时间：2018-05-04 13:53:07 浏览：10323
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有独立栅极偏置控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强。
GaN HEMT具有较高的输出功率密度和较宽的带宽效率。但是，GaN HEMT的线性典型地比GaAs器件的线性更差。本文提出了一种简单的方法来提高GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元，然后将功率合并为子单元输出。原型放大器..
推荐资讯
-
Innovative Power Products IPP-5019是什么型号？30–1500MHz 25W 180°巴伦选型 2026-09-15 17:18:44Innovative Power Products IPP-5019是一款30–1500MHz、25W SMD 180° RF巴伦，J1为50Ω，J2/J3为25Ω。本文从频率、功率、阻抗及IPP同系列型号区别分析IPP-5019选型与采购确认要点。
-
JUPITER柔性波导选型：JMC1200T、JMC1200N、JMC1200S有什么区别？ 2026-09-15 17:14:25JUPITER柔性波导JMC1200T、JMC1200N、JMC1200S有什么区别？本文从扭转能力、柔性结构、WR波导尺寸及实际安装需求分析三种型号，帮助工程师快速确认选型和询价规格。