C波段S波段射频晶体管AM036MX-QG-R

发布时间：2018-11-01 17:03:32 浏览：2397

描述

AMCOM的AM036MX-QG-R是GaAs MESFET QG系列的一部分。这一部分的总栅极宽度为3.6mm。AM036MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装，所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。对于高于5GHz的频率，我们建议将器件直接安装在金属散热器上，这也是RF接地，以避免PCB上的通孔电感。这个FET是符合ROHS标准的。

品牌	型号	货期	库存
AMCOM	AM036MX-QG-R	1周	110

如若您需要购买AM036MX-QG-R ，请点击右侧客服联系我们！！！

特征
高达6GHz的高频操作
高增益和高功率，P1dB＝27.5dBm @ 3.5GHz
Low Cost塑料包装

3有效散热的散热器路径

应用
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和超局域网
C波段VSAT

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: L波段S波段高功率微波应用设计射频晶体管AM048MX-QG-R