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CMPA0060025F功率放大器芯片 CREE现货
2019-01-23 15:46:38CREE的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）HEMT的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。
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CMPA801B025F功率放大器芯片 cree现货
2019-01-23 15:44:43Wolfspeed的CMPA801B025是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。
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CGHV1F025S高电子迁移率晶体管 Wolfspeed代理现货
2019-01-23 15:05:08Wolfspeed的CGHV1F025S是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。该器件可用于L，S，C，X和Ku波段放大器应用。
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CGH40010_10W射频功率GaN HEMT Wolfspeed现货
2019-01-23 14:48:12Wolfspeed的CGH40010是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40010采用28伏轨道，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率，高增益和宽带宽能力，使CGH40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。
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CGH40006P高电子迁移率晶体管 Wolfspeed现货
2019-01-23 14:14:25Wolfspeed的CGH40006P是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40006P采用28伏轨道，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率，高增益和宽带宽能力，使CGH40006P成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用焊接药丸封装。
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AMMC-6241高增益26GHz至43GHz低噪声放大器 AVAGO现货
2019-01-23 13:45:59Broadcom的AMMC-6241是一款高增益，低噪声放大器，工作频率范围为26GHz至43GHz。 该器件具有50欧姆的输入/输出匹配无条件稳定，可用作主要或次序低噪声增益级。
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AMMC-5040高增益宽带功率放大器芯片 Avago代理现货
2019-01-23 11:18:22AMMC-5040 MMIC是一款高增益宽带放大器，专为军事应用和商业通信系统而设计。 这款四级放大器具有输入和输出匹配电路，适用于50Ω环境。它采用PHEMT集成电路结构制造，可提供卓越的宽带性能。
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RM342-011-241-5900焊接杯电缆连接器 Airborn连接器
2019-01-23 10:56:39RM342-011-241-5900焊接杯电缆连接器，一系列母型电缆连接器，有三排触点，间距为0.075“。这些连接器带有焊杯端接。它们的尺寸范围为11到206触点。
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HMC205替代件HMC814-Die有源宽带倍频器芯片 ADI现货
2019-01-23 10:43:31HMC205替代件HMC814-Die是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在19 GHz频率下，Fo、3Fo和4Fo隔离大于20 dBc。
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HMC313/HMC313ETR质结双极性晶体管放大器 ADI现货
2019-01-23 10:39:41HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级，或用于针对窄带应用优化的外部匹配。
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HMC441LC3B/HMC441LC3BTR中等功率放大器 ADI现货
2019-01-23 10:28:48HMC441LC3B是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该放大器具有6至18 GHz的工作范围，提供14 dB增益、+21.5 dBm饱和功率和27% PAE（+5V电源）。
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HMC472ALP4E/HMC472ALP4ETR宽带6位GaAs IC数字衰减器 ADI现货
2019-01-23 10:12:24HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。
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HMC515LP5E/HMC515LP5ETR双极性晶体管 ADI代理现货
2019-01-23 09:49:37HMC515LP5E是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。
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HMC554ALC3B/HMC554ALC3BTR双平衡混频器 adi现货
2019-01-23 09:29:38HMC554ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型LCC封装，可用作10 GHz至20 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。
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使用PIN二极管设计：离散HMIC还是AlGaAs？
2019-01-22 17:11:12实施固态射频或微波开关似乎并不是一项艰巨的任务：确定并评估适当的集成电路（IC）开关，如果不存在，请选择PIN二极管以包含在离散的定制设计中。由于操作频率高，毫米波RF开关似乎更具挑战性。
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今天的射频半导体正在发生什么变化
2019-01-22 16:51:24今天的半导体行业正在经历猖獗的变化，主要是由于终端市场需求的变化和主要的整合。几十年前，由主要在同一市场上扮演的个体RF公司组成的行业已经被一个新的市场所取代 - 一个装饰着新市场以及硅谷公司与传统芯片制造商的重大并购。
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适用于5G的光学和光子网络：在组件级别进行创新
2019-01-22 16:39:41随着技术的不断发展，每天都会出现新的创新解决方案，所有人都在关注下一步的发展方向。对于MACOM和Verizon，下一个重要步骤是启用和部署5G通信网络。Verizon作为一家电信运营商，渴望为其客户提供更快，更可靠的连接，而MACOM在利用其技术组合开发可使这些新的5G网络成为可能的组件方面处于独特的地位。
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200G光连接在400G路径中的作用是什么？
2019-01-22 16:34:23200G模块提供了几个关键优势，其中主要是利用完全模拟架构的灵活性，我们在早期博客文章中评估的优点主要集中在高性能计算（HPC）应用的光学模块上。虽然比基于主流数字信号处理器（DSP）的解决方案更难实现，但完全模拟光学互连可以提供比基于DSP的解决方案低1,000倍的延迟 - 这是以尽可能最快的速度实现系统和网络性能的关键属性。
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MLP7130-0805-2/MLP7130硅限幅器PIN二极管 MACOM现货
2019-01-22 16:21:33MLP7130-0805-2/MLP7130硅限幅器PIN二极管是具有2μm（标称）I层厚度的封装器件。它采用成熟的二极管制造工艺制造，具有高可靠性和均匀性。该器件具有极低的热阻（<150ºC/ W），可以可靠地处理高达33 dBm CW的大RF功率电平和高达47 dBm的RF峰值入射功率（1μs脉冲宽度，0.1％占空比）在TA =25ºC时。严
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MLP7120-2012/MLP7120限幅器PIN二极管 MACOM现货
2019-01-22 16:16:39MLP7120-2012/MLP7120限制器PIN二极管是低串联电阻MLP7120-2012限制器PIN二极管是一种低串联电阻，低电容限制器PIN二极管，采用表面贴装，低寄生塑料封装。它采用Cobham Metelics专有二极管工艺制造，具有出色的性能和高可靠性。