PH1090-550S宽带C类操作功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-350L射频微波功率晶体管,具有通用基本配置、符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1090-175L封装NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置、宽带C类操作等特点。
PH1090-15L宽带C类NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、 高效数字间几何等特征。
MRF587设计用于高增益,低噪声,超线性,调谐和宽带放大器。适用于CATV,MATV和仪器仪表应用。具有全金属金属系统、离子注入、镍铬合金发射极镇流器电阻器等特点。
MRF448A主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器,适用于船舶和基站设备。额定50 V,30 MHz特性:输出功率= 250 W,最小增益= 12 dB,效率= 45%。
MRF428主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于海洋和基站设备。额定50 V,30 MHz特性:输出功率= 150 W(PEP),最小增益= 13 DB,效率= 45%。
MRF393双极主要设计用于30至500 MHz频率范围内的宽带大信号输出和驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、推挽式配置降低了偶数编号的谐波等特征。
MRF323双极主要设计用于200-500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和预驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、计算机控制的引线键合提供一致的输入阻抗等特征
MRF317双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级,具有高可靠性应用的金金属化系统、 内置匹配网络,用于宽带运营、宽带测试装置的保证性能等。
MRF316双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级。具有用于宽带操作的内置匹配网络、 高可靠性应用的金金属化系统等特征。
MRF313双极专为军事,移动和飞机无线电中的宽带放大器,驱动器或振荡器应用而设计。具有用于改善MTBF的发射镇流器和低电流命运、提高稳定性的共同发射极等特点。
MRF16006双极设计用于范围为1600 - 1640 MHz的28 V微波大信号,公共基极,C类,CW放大器应用。具有金属金属化,发射器Ballasted长寿命和抗金属迁移、 氮化硅钝化等特点。
MRF1090MB设计用于短脉冲TACAN,IFF和DME发射器中的B类和C类共基极放大器应用。具有金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性、 行业标准包装等特点。
MRF10502专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有内部输入和输出匹配、金属金属化,发射器,Ballested长寿命和金属迁移等特点。
MRF10350双极专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有氮化硅钝化、金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性等特点。
MRF10150专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性、 氮化硅钝化、密封包装等特点
MRF10120双极专为960-1215 MHz长脉冲共基放大器应用而设计,如JTIDS和S模式发射机。具有氮化硅钝化、 密封封口行业标准包装、 宽带操作的内部输入和输出匹配等特点。
MRF1004MB双极微波脉冲功率硅NPN晶体管4.0W(峰值),960-1215MHz,设计用于短脉冲和长脉冲TACAN,IFF,DME和雷达发射器中的B类和C类共基极放大器应用。
MAPRST1030-1KS双极NPN硅功率晶体管,具有扩散发射极镇流电阻器、高效的数字间几何、密封金属/陶瓷封装、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配等特点。