CGHV1F025S高电子迁移率晶体管 Wolfspeed代理现货
发布时间：2019-01-23 15:05:08 浏览：2696
CGHV1F025S是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。该器件可用于L，S，C，X和Ku波段放大器应用。数据手册规格基于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放大器。CGHV1F025S采用40伏轨道电路，采用3 mm x 4 mm表面贴装双扁平无引线（DFN）封装。在功耗降低的情况下，晶体管可以在低于40V的电压下工作至低至20V的VDD，从而保持高增益和高效率。
CGHV1F025S参数
| 峰值输出功率 | 25W | |
|---|---|---|
| 应用 | 通用宽带，40 V | |
| 典型功率（PSAT） | 25瓦 | |
| 工作电压 | 40 V | |
| 频率 | DC - 15.0 GHz | |
| 包装类型 | 表面贴装 | |
| 获得 | 11 dB @ 9.4 GHz | |
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