HMC7912LP5E/HMC7912LP5ETR军用雷达上变频器 ADI现货

发布时间：2018-07-04 09:24:31     浏览：2400

HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 立维创展HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。


品牌 型号 描述 货期 库存
ADI HMC7912LP5E，HMC7912LP5ETR GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz 现货 102


HMC7912LP5E应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信

  • 传感器

HMC7912LP5E优势和特点

  • 转换增益：15 dB（典型值）
  • 边带抑制：22 dBc（典型值）
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
  • RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
  • 中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
  • RF回波损耗：15 dB（典型值）
  • LO回波损耗：15 dB（典型值）
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

HMC7912LP5E结构图


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