HMC7911LP5E/HMC7911LP5ETR卫星通信上变频器 ADI现货热销

发布时间：2018-07-04 09:50:28     浏览：2523

HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。立维创展HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

品牌 型号 描述 货期 库存
ADI HMC7911LP5E
HMC7911LP5ETR 		17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器 现货 136



HMC7911LP5E应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 传感器

HMC7911LP5E优势和特点

  • 转换增益：18 dB（典型值）
  • 边带抑制：30 dBc（典型值）
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
  • RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
  • IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
  • RF回波损耗：13 dB（典型值）
  • LO回波损耗：10 dB（典型值）
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

HMC7911LP5E结构图



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