CREE的PTVA102001EA是款200瓦LDMOSFET,主要用于960至1600MHz频率段的功率放大器技术应用。
ADI的高度集成放大器、比较器和基准电压源产品线包括各种模拟应用具备更加灵活构建模块。
RF-Labs低功率和高功率微波射频电阻器和端子,包含表面贴装技术芯片、内置式和盖式芯片、法兰安装式和杆式。RF-Labs电阻器可选用氧化铝、ALN、BeO和CVD基板材料。
Marki 90°表面贴装混合器是种相当于功率分配器的耦合器,提供专业输入到输出的相同功率控制,并且在两个输出之间建立宽带90°相位差。
UMS的CHA6551-99F是款三级单片GaAs高功率放大器,能够产生1.6w的输出功率。CHA6551-99F具备较高线性度,可实现增益控制,并集成化功率检测器。
Wolfspeed的CGHV40320D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备更优越的性能;CGHV40320D包含较高的击穿场强;较高的饱和电子漂移速率;和较高的导热系数。
MITEQ单边带调制器是种能够更有效率的使用动能和带宽的幅度调制技术应用。MITEQ单边带调制器与残留边带调制器有密不可分的关系。
WENTEQ的ALN0131-14-3505F是款根据两级GaAsp HEMT的低噪声放大器模块,具备集成化带通滤波器,频率范围在1215至1400MHz。ALN0131-14-3505F放大器具备35dB的小信号增益值,通带中具备0.5dB的相位噪声。
RADITEK陶瓷滤波器是通过锆钛酸铅陶瓷纤维制作而成,将这些陶瓷材料制作成片状,双面涂银用作电极片,通过直流高压电源电极化后就具备热电效应。
Anaren的X4B20L1-5050G是款超小型低剖面平衡到不平衡变压器,致力于5G应用领域差分输入输出需求设计。X4B20L1-5050G是批量生产的最佳选择。X4B20L1-5050G适用于磁带和卷轴,适用于大批量获取和存放生产制造。
Anritsu提供微带弹性触体("滑动触体")。V102F-R能够在出现温度波动、碰撞或震动时对连接提供保护。V110-1主要用于微带线宽度为0.15mm微带和共平面波导管。
Aeroflex提供多种移相器来满足用户的功能需求。Aeroflex具有高至40GHz的完整设计和测试性能,具有 移相器资源,可为客户提供研发新设计、创建现有规格或调整老旧的器件。
KRYTAR的新型产品10205006提高了多功能微带线设计的选择,这些设置在2.0至50GHz的超宽频频率范围内以单一化、紧凑型和轻量级的封装展现出优异的耦合。
2420-01SF连接器根据Southwest Microwave严苛的性能质量标准规定塑造,经久耐用,具备360°突起屏蔽环,2420-01SF操作温度额定值为-55°C至+165°C。
MACOM的MNOS系列电容器在热形成的二氧化硅底材上使用氮化硅电解介质。所得的复合电解介质具备低泄露电流和插入损耗及其出色的机械稳定性。
AMCOM的AM061306LN-P1是款宽带低噪声放大器模块。为通用型技术应用需求设计。AM061306LN-P1的频率范围为550MHz至1300MHz,相位噪声为0.55dB,小信号增益值为15.5dB。
AMPHENOL的D-Sub高密度板组装连接器根据紧凑型-D规格型号,以提供高密度和高速接口来改善用户的板和系统开发。
Noisecom UFX7113B宽带AWGN噪声发生器具有超强的工控主板,具备灵活多变的架构设计,适用于为高端测试系统构建繁杂的定制噪声信号。
CREE的PTVA042502EC和PTVA042502FC LDMOS FET设计适用于470MHz至806MHz频率段的功率放大器应用。特性包括高增益和耐高温增强型封装,具有螺母稳固或无耳法兰盘。
为了避免THUNDERLINE-Z玻璃绝缘子焊接材料溅出,关键在于要预留充足的时间将热能导入封装机壳。最好通过热电阻检测和在提高焊接材料流环境温度之前准确控制炉内的等待时间去实现。