MACOM的MNOS系列电容器在热形成的二氧化硅底材上使用氮化硅电解介质。所得的复合电解介质具备低泄露电流和插入损耗及其出色的机械稳定性。
AMCOM的AM061306LN-P1是款宽带低噪声放大器模块。为通用型技术应用需求设计。AM061306LN-P1的频率范围为550MHz至1300MHz,相位噪声为0.55dB,小信号增益值为15.5dB。
AMPHENOL的D-Sub高密度板组装连接器根据紧凑型-D规格型号,以提供高密度和高速接口来改善用户的板和系统开发。
Noisecom UFX7113B宽带AWGN噪声发生器具有超强的工控主板,具备灵活多变的架构设计,适用于为高端测试系统构建繁杂的定制噪声信号。
CREE的PTVA042502EC和PTVA042502FC LDMOS FET设计适用于470MHz至806MHz频率段的功率放大器应用。特性包括高增益和耐高温增强型封装,具有螺母稳固或无耳法兰盘。
为了避免THUNDERLINE-Z玻璃绝缘子焊接材料溅出,关键在于要预留充足的时间将热能导入封装机壳。最好通过热电阻检测和在提高焊接材料流环境温度之前准确控制炉内的等待时间去实现。
CINCON铁路DC-DC转换器来源于交流配电线,根据架空电缆系统(AC)或接触轨系统(交流或直流)进行工控机箱,通过使用直流稳压电源为绝大多数电气模块供电设备。
Cypress XMC1000微控制器选用领先的65纳米制造工艺技术,将Arm®Cortex®-M0内核与根据行业市场检验的多元化外接设备相结合。XMC1000是把传统式8位设计提高到新水平的首选。
自1959年至今,RLC Electronics始终是微波射频行业高质量、最前沿的同轴开关、带通滤波器、精密衰减器和其它同轴电缆器件的领先设计者和制造商。
Electro-Photonics是家以顾客为中心的企业,拥有已超过25年的无源射频器件设计制造实践经验,致力于按服务承诺交付使用,并致力于创新和定制生产高频率器件。
QORVO QPA1315 GaN功率放大器设计用在Ku-K频率段技术应用,选用0.15um碳化硅基氮化镓工艺技术(QGaN15)生产制造。QORVO QPA1315放大器在15.4至17.7GHz工作频段内具备优异的性能参数。
AMCOM的AM0321206LN-P1是款宽带低噪声放大器模块。为通用型技术应用需求设计。AM0321206LN-P1的频率范围为300MHz至1200MHz,相位噪声为0.5dB,小信号增益值为40dB。
MECA作为射频元件和制造领域的领导者,了解客户对产品更高频率、更小封装和更高效率的需求正在增长和扩大。MECA提供一系列高质量的组件来满足这些需求。
KR Electronics带通滤波器表面贴装设计主要用于回流连接,能节省规格尺寸、成本与重量体积。KR Electronics带通滤波器表面贴装设计广泛应用于多个领域,如视频处理、无线通讯、雷达信号处理等。
SemiGen SZB900系列零偏置肖特基检测器二极管设计适用于视频检测器和功率监视器,不需要向二极管提供外界偏置电流。SemiGen零偏置肖特基检波二极管阻碍金属材质和制造工艺选择提供普遍的视频特性阻抗选择。
API SAW Oscillators法兰衰减器致力于平均减少射频信号功率,同时即便在最大输出功率情况下也仅有形成极小的反射。
NEL Frequency Controls的AE-X36DXXX-X-FREQ压控晶体振荡器(VCXO)提供具备PECL/LVPECL或差分正弦波互补传输的超高频率。
Wolfspeed的CGHV35060MP是60W输入配对;对于S波段性能进行调整的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGHV35060MP主要用于2.7至3.1GHz和3.1至3.8GHz的常见频率段,同时输入配对晶体管具备最好增益值;
UTE Microwave环行器是根据耦合到磁限幅铁氧体材料的对称Y结产生的3端口器件。循环器只能使用微波性能沿同一方向流通,例如从端口1到2、2到3及其3到1。当其中一端口停止(适配标准)时,其它两个端口将沿反方向隔离。
ATM Microwave生产制造各种类型90度定向3dB混合耦合器。ATM Microwave的3dB90度混合耦合器是种专用型耦合器,具备2个相互相位差90°输出端口,在多个输出端口之间均匀分配功率。