L波段高压砷化镓场效应晶体管AM010MH4-BI-R
发布时间:2018-11-05 15:33:48 浏览:2210
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是双系列GaAs HIFET的一部分。HiFET是高压、高功率、高线性和宽带应用的部分匹配专利设备配置。该器件的总器件外围为4mm。AM010MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达3GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装,具有弯曲或直线的引线和凸缘安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| AMCOM | AM010MH4-BI-R | 1周 | 50 |
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用于有效散热的陶瓷封装
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