​TGS2351-SM单刀双掷(SPDT)射频开关芯片现货库存

发布时间:2025-11-27 16:28:52     浏览:444

TGS2351-SMQorvoTriQuint)推出的一款采用氮化镓(GaN)技术制造的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,具备高频、高功率处理能力及快速切换特性,广泛应用于雷达、通信系统等射频领域。

核心规格

频率范围DC – 6 GHz

功率容量:连续波 40 W47 dBm),控制电压 0 V / –40 V

插入损耗< 1 dB

隔离度:典型 40 dB

开关速度tON ≤ 31 nstOFF ≤ 18 ns

封装4 mm × 4 mm24 引脚空腔型 QFN(可表面贴装)

工艺0.25 µm GaN-on-SiC,无需外接偏置

TGS2351-SM单刀双掷(SPDT)射频开关芯片现货库存

技术特性

基于 GaN 技术:采用 0.25 微米氮化镓(GaN)工艺制造,具备高击穿电压、高电子迁移率等特性,显著提升功率处理能力和开关速度。

无铅环保设计:符合 RoHS 标准,满足环保要求。

评估板支持:可提供评估板,便于用户进行性能测试和原型开发。

应用场景

高功率射频开关:适用于需要高功率处理的射频系统,如雷达、电子战设备等。

通信系统:可用于基站、卫星通信等需要高频、高功率开关的场景。

测试仪器:在射频测试仪器中作为关键开关元件,实现信号路由和切换。

深圳市立维创展科技是QORVO的经销商,主要提供QORVO功率放大器, IC和裸芯片,立维创展拥有稳定的供应渠道,价格优势,并大量备有现货库存,欢迎咨询。

 

选型对比

TGS2351-SM TGS2353-2-SM

TGS2353-2-SM 同样采用 GaN 技术,但工作频率扩展至 0.5-18 GHz,输入功率降低至 10 W,插入损耗略高(<1.5 dB),隔离度为 30 dB。适用于更高频率但功率要求较低的场景。

TGS2351-SM TGS2355-SM

TGS2355-SM 支持脉冲功率高达 100 W,隔离度提升至 40 dB,但工作频率范围为 0.5-6 GHz。适用于需要更高脉冲功率的国防和商业平台。

推荐资讯