GTRB246608FC-V1高电子迁移率晶体管

发布时间：2024-11-20 16:51:18     浏览：931

GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），致力于多标准蜂窝状功率放大器应用需求设计。GTRB246608FC-V1具备高效率和无轴环的热增强封装。

GTRB246608FC-V1.png

产品规格

阐述：高功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最高频率（MHz）：2400

增益（dB）：15.7

封装类别：Earless

特征

典型脉冲CW性能，2400 MHz，48 V，10μs脉冲频率，10%占空比，组合输出

P4dB=600 W时的输出功率

P4dB=60%时的效率

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