氮化镓28V/25W射频功率晶体管NPTB00025AB
发布时间：2018-09-20 15:52:07 浏览：2569
氮化镓28V，25W射频功率晶体管
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| MACOM | NPTB00025AB | 1周 | 600 |
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特征
针对DC - 4000MHz的宽带操作进行了优化10W P3dB CW宽带功率，500-1000MHz
特点适用于高达32V的工作电压
100％射频测试
热增强型工业标准封装
受EAR99出口管制的约束
25W P3dB CW窄带功率
无铅
符合RoHS标准
产品规格
电源电压：28 V.
PSAT：25瓦
增益：13 dB
测试频率：3 GHz
Theta JC：5.3 C / W.
MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品，采用分立晶体管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工艺，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表现出优异的RF性能
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