CGHV60170D-GP4高电子迁移率晶体管
发布时间：2024-11-18 17:03:20 浏览：1162
CGHV60170D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能；包含较高的击穿场强；饱和电子偏移速度较高；及其较高的传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D提供较高的功率密度和更宽的频带宽度。
产品规格
阐述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT芯片
最低频率（MHz）：0
最高频率（MHz）：6000
增益值（dB）：17
封装类别：Die
特征
65%典型功率附加效率
170 W典型PSAT
50V操控
高击穿场强
频率范围高至6 GHz
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