​PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET

发布时间:2024-11-08 17:05:23     浏览:1112

PXAE261908NF-V1CREE的一款240瓦(P3dBLDMOS FET,适用于25152675 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。PXAE261908NF-V1包含输入输出适配、高增益和带无耳法兰盘的热增强封装。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工艺技术,具有卓越的热稳定性和卓越的安全性能。

PXAE261908NF-V1.png

产品规格

阐述:高功率射频LDMOS FET240W28 V2515-2675 MHz

最低频率(MHz):2515

最高频率(MHz):2675

P3dB输出功率(W):240

增益值(dB):13.5

工作效率(%):47

工作电压(V):28

封装类型:塑料

封装:封装分立晶体管

技术应用:LDMOS

特征

典型的脉冲CW性能,2675 MHz28 V输出功率,P1dB=51 W输出功率,P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%

集成化ESD保护

模特模型,2级(根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

低热导率

无铅并满足RoHS标准

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!

推荐资讯