PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET
发布时间:2024-11-08 17:05:23 浏览:1229
PXAE261908NF-V1是CREE的一款240瓦(P3dB)LDMOS FET,适用于2515至2675 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。PXAE261908NF-V1包含输入输出适配、高增益和带无耳法兰盘的热增强封装。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工艺技术,具有卓越的热稳定性和卓越的安全性能。

产品规格
阐述:高功率射频LDMOS FET240W,28 V,2515-2675 MHz
最低频率(MHz):2515
最高频率(MHz):2675
P3dB输出功率(W):240
增益值(dB):13.5
工作效率(%):47
工作电压(V):28
封装类型:塑料
封装:封装分立晶体管
技术应用:LDMOS
特征
典型的脉冲CW性能,2675 MHz,28 V输出功率,P1dB=51 W输出功率,P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%
集成化ESD保护
模特模型,2级(根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
低热导率
无铅并满足RoHS标准
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!
推荐资讯
THUNDERLINE-Z TL Series玻璃密封RF/DC Feed-through产品介绍,涵盖TL-110、TL-120、TL-1200及TL-1205系列型号,分析50Ω射频性能、引脚尺寸、气密性和工程选型注意事项。
Cypress(Infineon)PSOC 4100T Plus系列微控制器,采用48MHz Arm Cortex-M0+内核,集成第五代CAPSENSE、多传感及低功耗触控技术。介绍其技术特点、应用场景、型号差异及采购选型注意事项。