PXAE263708NB-V1 S波段大功率射频LDMOS场效应晶体管
发布时间:2024-11-04 16:57:13 浏览:1147
PXAE263708NB-V1是CREE的一款400瓦(P3dB)LDMOS FET,应用于2620至2690 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。包含输入输出适配;高增益以及具有无突缘的热增强封装形式。PXAE263708NB-V1采用独特的LDMOS工艺技术;PXAE263708NB-V1具有良好的热稳定性和优异的安全性能。

产品规格
阐述:高功率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz
最低频率(MHz):2620
最高频率(MHz):2690
P3dB输出功率(W):400
增益(dB):13.5
效率(%):47
额定电压(V):28
封装类别:塑料
封装:封装形式分立晶体管
技术:LDMOS
特征
宽带内部输入输出适配
非对称性Doherty设计:主P1dB=140W典型值;最高值P1dB=260 W典型值
典型的脉冲CW特性;2655MHz;28v;多尔蒂构型;AB类:P1dB=200W时的输出功率;P3dB=400W时的输出功率;效率=49%(POUT=57 W均值);增益=15 dB(POUT=57 W均值)
能够处理32 V时10:1的VSWR;100 W(CW)输出功率
集成化ESD保护
无铅并满足RoHS标准
深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!
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