​GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE

发布时间：2024-10-31 17:18:10     浏览：1012

GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高功率RF GaN放大器，应用于多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTRA262802FC具备输入适配、高效率和无轴环热增强封装的特性。

GTRA262802FC.png

规格参数

阐述：SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最低频率（MHz）：2490

最高频率（MHz）：2690

P3dB输出功率（W）：250

增益值（dB）：14

效率（%）：54

额定电压（V）：48

封装类型：Earless

封装：封装分立晶体管

技术应用：SiC的GaN

特征

•GaN-on-SiC HEMT技术应用

•输入适配

•典型的脉冲CW性能，2605 MHz，48 V，组合输出，16µs脉冲宽度，10%pwm占空比

-P3dB=250W时的输出功率

-效率=62%

-增益值=14.4 dB

•同时在48 V、38 W（CW）输出功率下操作10:1 VSWR

•模特模型1A级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

•低热阻

•无铅并满足RoHS标准

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: ​CHA3565-QAG C,X,Ka,K波段中功率放大器UMS

推荐资讯