GTVA261802FC-V1高功率RF GaN放大器CREE
发布时间：2024-10-29 17:05:16 浏览：1234
CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模式放大器，适用于多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTVA261802FC-V1具备输入适配、高效率和无轴环热增强封装的特性。
产品规格
阐述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz
最低频率（MHz）：2620
最大的频率（MHz）：2690
P3dB输出功率（W）：170
增益值（dB）：16.8
高效率（%）：43
额定电压（V）：48
封装类别：Earless
封装：封装分立晶体管
技术：SiC上的GaN
特征
•GaN-on-SiC HEMT技术
•输入适配
•典型的脉冲CW性能，组合输出，
2690 MHz，48 V，10µs脉冲宽度，10%pwm占空比
-P3dB=170W时的输出功率
-P3dB时的漏极高效率=65.5%
-P3dB=15dB时的增益值
•能够完成48 V、180 W（CW）输出功率下10:1的VSWR
•模特模型1A级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
•低导热系数
•无铅并满足RoHS标准
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