超宽带高功率高效率的GaN放大器
发布时间:2018-09-06 15:30:42 浏览:2158
HEMT这个2x1.12mm的设备连接1.12mm的两个DC和RF串联单元电池器件。我们称之为配置HIFET〔4, 5, 6,7〕。直流偏置电压与射频这个HIFET的输出阻抗都是1.12mm单元电池装置。通过适当选择单元电池器件尺寸和串联单元电池器件的数量可优化HIFET最佳输出阻抗接近达到50欧姆,实现宽带性能。图2A和2B显示第一阶段和第二阶段的输入和输出阻抗,分别。请注意,第二阶段最优。在0.25GHz的输出负载阻抗接近50欧姆。这个结果使得低射频损耗宽带匹配,这是高输出功率实现宽频带的重要性和效率。这50欧姆最佳输出阻抗为通过适当选择单元电池器件尺寸和系列设备的数量。因为第二阶段有2单元电池串联,直流偏置电压为60V的第二阶段。
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