UMS微波CHK5010-99F功率晶体管GaN HEMT
发布时间：2024-04-12 08:50:46 浏览：1429
UMS微波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)，可为各种射频功率应用提供多功能宽带解决方案。该产品在SiC衬底上采用GaNHEMT技术制造，确保了优异的性能和可靠性。
晶体管以裸晶片形式提供，需要外部匹配电路才能充分发挥其潜力。然而，正是这种设计特点赋予了CHK5010-99F丰富的功能和广泛的应用潜力。
主要特点包括其出色的宽带能力，支持高达12 GHz的脉冲和连续波操作。基于GaN技术，该设计可实现高输出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA时实现最佳性能。此外，该芯片具有0.90x0.80x0.1mm的紧凑尺寸，即使在受限的空间中也可以轻松集成。
除了其卓越的性能，CHK5010-99F还符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006标准，确保环保和安全。这让用户在选择和使用产品时安心，而不必担心对环境的不利影响。
总之，CHK5010-99F是一款值得信赖的高性能GaN晶体管，具有广泛的应用和出色的功能。其令人印象深刻的性能和符合行业标准使其成为射频功率应用的可靠选择，为该领域开辟了新的可能性。
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit |
| Gss | Small Signal Gain | 21.6 | dB | ||
| PsAT | Saturated Output Power | 36 | dBm | ||
| PAE | Max Power Added Efficiency | 72 | dB | ||
| GPAE_MAX | Associated Gain at Max PAE | 14 | dB |
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