CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE
发布时间：2024-02-29 17:09:17 浏览：1388
CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；CMPA1D1E030D选用0.25μm栅极尺寸工艺技术。与硅相比较，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。
特征
27 dB 小信号增益值
30 W 典型 PSAT
工作电压高至 40 V
高击穿场强
高温度操控
应用领域
卫星通讯上行链路
产品规格
描述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 功率放大器
最低频率(MHz)：13750
最高频率(MHz)：14500
最高值输出功率(W)：30
增益值(dB)：26.0
效率（％）：25
工作电压(V)：40
形式：MMIC 裸片
封装类别：Die
技术：GaN-on-SiC
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