CGHV50200卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
发布时间：2024-01-16 17:16:48 浏览：1311
CGHV50200F是种专门设计用在高效化氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽性能；从而使得CGHV50200F成为了对流层光学散射通讯的最佳选择；4.4-5.0GHzC频率段卫星通讯应用与超低空。CGHV50200F选用陶瓷/金属法兰封装形式。
特征
4.4–5.0GHz工作
180W常见PSAT
11.5dB常见功率增益值
48%常见电源效率
50Ω内部适配
应用领域
卫星通讯
超越视线——BLOS
对流层光学散射通讯
产品规格
描述：200瓦；4400-5000MHz；50Ω输入/输出适配；氮化镓高电子迁移率晶体管
最低频率(MHz)：4400
最高频率(MHz)：5000
最高值输出功率(W)：200
增益值(dB)：11.5
工作效率（％）：33
额定电压(V)：40
形式：封装形式分立晶体管
封装类型:法兰盘
技术应用：GaN-on-SiC
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