Q3XG-1500R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

发布时间：2023-11-24 17:15:32 浏览：1288

Electro-Photonics提供Q3XG-1500R的3dB90混合耦合器选用小封装，插入损耗低，功率容量大。Q3XG-1500R混合耦合器适用于窄带和宽带功率放大器技术应用。

Q3XG-1500R耦合器是非磁性的，适用于MRI技术应用。Dragon耦合器在国外设计制造，满足RoHS和REACH标准。

Q3XG-1500R的标准表层处理是浸锡。可按照需求提供化学镀镍和浸金(ENIG)。

特征

1000–2000MHz

低损耗

高隔离度

严苛的振幅平衡

90度正交

表面贴装技术

CTE适配

L波段

卷带选择

评估板722-0006-03-E01

规格

规格：0.560x0.350英寸

工作频率：1000-2000MHz

额定功率：85瓦

插入损耗：0.18dB

幅度平衡：±.55

隔离度：24dB

驻波比：1.18

相位平衡：±3

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: RLC Electronics连续可变同轴衰减器DC 至 1000 MHZ