GTVA101K4 L波段功率放大器CREE
发布时间：2023-09-13 16:58:47 浏览：1805
CREE的GTVA101K4是款精心设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽性能。从而使得GTVA101K4特别适合0.96–1.4GHz频率段的应用。GTVA101K4晶体管适合于从UHF到1.4GHz的特殊频率段技术应用。
特征
输入适配
常见的脉冲连续波性能；960–1215MHz；50V；单层；128μs脉冲宽度；10%pwm占空比；P3dB=1400W时的输出功率；工作效率=68%；增益值=17dB
无铅并满足RoHS标准
应用领域
雷达放大器
CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
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