CGH27030 L波段功率放大器CREE

发布时间：2023-01-05 16:44:22 浏览：1105

Wolfspeed的CGH27030 专门为高效率设计的氮化镓(GaN)晶体管具有较高的电子迁移率(HEMT)；高增益和宽带宽性能；CGH27030 成为VHF理想化选择；通信网络；3G;4G；LTE；2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器应用领域。旋紧法兰盘可以使用CGH27030 晶体管；焊接工艺药丸式封装；与一个3mmx4mm；表面贴装技术；双平无导线(DFN)封装。

特征

VHF–3.0GHz操控

30W峰值功率性能

>15dB小信号增益值

>28%引流效率

应用

VHF；通信网络；3G;4G；LTE；2.3-2.9GHzWiMAX和BWA放大器应用领域。

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGH27030F	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	15 dB	28%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Flange
CGH27030P	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	15 dB	28%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGH27030F-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	15 dB	28%	28 V	Evaluation Board	Flange
CGH27030S-AMP1	GaN on SiC	1.8 GHz	2.2 GHz	30 W	18 dB	33%	28 V	Evaluation Board	Surface Mount
CGH27030S	GaN on SiC	DC	6 GHz	30 W	18 dB	33%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Surface Mount

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA6710-FAB X波段中功率放大器UMS