CMPA2060035 C波段GaN MMIC功率放大器CREE
发布时间:2022-10-09 16:58:57 浏览:1358
Wolfspeed的CMPA2060035是根据氮化镓(GaN)HEMT的单片微波集成电路(MMIC)。与硅或砷化镓相比较,氮化镓具备优异的性能指标;包含相对较高的击穿场强;饱和电子漂移效率高,传热系数高。与Si和GaAs晶体管相比较,CMPA2060035具备更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA2060035包含二级反应适配放大器设计思路,在极小的占地总面积下实现极其宽的带宽。可以在模具和紧凑型封装铜钨散热器。
特征
28dB小信号增益值
35W典型PSAT
工作电压高达32V
高击穿场强
高温度操作
应用
超宽带驱动软件
光纤驱动器
测试设备
EMC放大器驱动软件
CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。
详情了解CREE射频微波请点击:/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA2060035D | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 29 dB | 42% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA2060035F-AMP1 | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 27 dB | 35% | 32 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA2060035F-AMP | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 27 dB | 35% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA2060035F | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 27 dB | 35% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA2060035F1 | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 30 dB | 30% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA2060035F1-AMP | GaN on SiC | 2 GHz | 6 GHz | 35 W | 30 dB | 30% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
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