CGH55030F1/P1 C波段氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管CREE
发布时间：2022-09-27 16:45:13 浏览：1228
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是专门为高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；促使CGH55030F1/CGH55030P1特别适合5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA功率放大器应用。CGH55030F1/CGH55030P1晶体管具备旋紧式法兰和焊接式药丸封装。根据适量的外部适配调节；CGH55030F1/CGH55030P1同样适用于4.9–5.5-GHz应用。
特征
300MHz瞬时网络带宽
30W峰值功率性能
10dB小信号增益值
4WPAVE<2.0%EVM
瞬时功率为4W时效率为25%
应用
WiMAX稳固连接802.16-2004OFDM应用
多载波DOCSIS应用
CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
详情了解CREE射频微波请点击：/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGH55030F1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 10 dB | 25% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
CGH55030P1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 10 dB | 25% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
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