C波段GaN MMIC 功率放大器CMPA0060002 CREE

发布时间：2022-07-14 16:41:47 浏览：1303

CREE的CMPA0060002是种根据氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比较具备优质的性能指标；包括更高电压击穿；更高饱和电子漂移速率和更高导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还保证更高功率密度和更宽的带宽。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE选用分布式（行波）放大器设计方法；能够在极小的空间内完成极宽的带宽。保证裸片和具有铜钨热管散热器的旋入式封装形式。

CREE的C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002具备2-W;20-MHz-6000-MHz；GaN MMIC功率放大器。

特征

17dB小信号增益值

3W经典PSAT

额定电压高达28V

高电压击穿

高温度操作

应用

超宽带放大器

网络光纤驱动器

测试设备

EMC放大器驱动器

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CMPA0060002F1	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	18 dB	25%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA0060002D	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	30%	28 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA0060002F	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	23%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA0060002F-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	17 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Flange
CMPA0060002F1-AMP	GaN on SiC	DC	6 GHz	2 W	18 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Flange

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