CREE射频功率 GaN HEMT
发布时间：2022-07-11 17:01:02 浏览：1440
CREE射频功率CGH40006是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子器件迁移率晶体管(HEMT)。CREE射频功率CGH40006；从28V电压轨运转；提供通用型；主要用于各种各样射频和微波应用的宽带网络解决方案。CREE射频功率GaNHEMT提供高效率；高增益和宽带网络宽功能；使CGH40006作为线性和压缩功率放大电路的理想化选择。CREE射频功率GaNHEMT选用焊接药Pill封装形式和3-mmx3-mm；表面贴装;双扁平无导线封装形式。
特征
高达6GHz的操控；
2.0GHz时13dB小信号增益值；
6.0GHz时11dB小信号增益值；
PIN=32dBm时典型值为8W；
28伏操控；
应用
2路个体调频收音机；
宽带放大器；
蜂窝基础设施建设；
测试设备；
ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型；
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，CREE产品包含：发光二极管芯片，照明发光二极管，背光发光二极管，功率开关器件，无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道，长期备有库存，以满足中国市场的需求，欢迎咨询。
详情了解CREE射频微波请点击：/brand/35.html
产品 | 最小 频率 | 最大 频率 | 峰值输出功率 | 获得 | 效率 | 工作电压 | 形式 | 包装类型 |
CGH40006S-AMP1 | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH40006P-AMP | 2GHz | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Pill |
CGH40006S | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Plastic |
CGH40006P | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
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