L 频段RF分立式GaN晶体管 QPD1025航空电子射频晶体管 Qorvo现货出售
发布时间：2018-07-18 11:29:24 浏览：2832
Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W（P3dB）分立GaN晶体管，L 频段1800W双通道射频晶体管，工作频率范围为1.0至1.1 GHz。封装内的输入预匹配使外部电路板易于匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于IFF，航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持CW和脉冲操作。
无铅和符合ROHS标准。
| 品牌 | 型号 | 描述 | 货期 | 库存 |
| Qorvo | QPD1025 | 1800瓦，65伏，1.0 - 1.1 GHz，GaN RF输入匹配晶体管 | 现货 | 199 |
典型应用
IFF转发器
航空电子学
主要特征
频率范围：1.0到1.1 GHz
输出功率（P 3dB 1）：1862瓦特
线性增益：22.5 dB
典型PAE 3dB 1：77.2％
工作电压：65 V.
CW和Pulse能力
注1：@ 1.0GHz负载牵引
主要参数
| 频率最小值（MHz） | 1000 |
| 频率最大值（MHz） | 1100 |
| 增益（dB） | 22.5 |
| Psat （dBm） | 62.7 |
| PAE （％） | 77.2 |
| VD （V） | 65 |
| Idq （mA） | 1500 |
| 包装类型 | NI-1230（无耳） |
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