XC2100E-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器原装库存

发布时间：2020-04-22 09:52:35     浏览：2107

XC2100E-03S是一种低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一个新的易于使用，制造友好的表面安装包。它是为NMT波段应用而设计的。XC2100E-03S是专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧密幅度相位平衡的应用而设计的。它可用于高达45瓦的大功率应用。零件经过严格的鉴定测试，并使用热膨胀系数（CTE）与常见基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亚胺）兼容的材料制造。可用于5/6锡铅（XC2100E-03S）和6/6符合RoHS标准的浸锡（XC2100E-03S）。

XC2100E-03S低剖面

XC2100E-03S特征：

•2.0 - 2.3GHZ

•不超过

•非常低的损耗

•紧密振幅平衡

•高隔离度

•生产友好型

•磁带和卷盘

•提供无铅（无说明）或锡铅

•可靠，拟合度=0.53

XC2100E-03S重要参数

频率（GHZ）：2.0 - 2.3

功率（W）：100

回波损耗（dB）：24.9

插入损耗（dB）：0.12

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