HMC7912LP5E/HMC7912LP5ETR军用雷达上变频器 ADI现货

发布时间：2018-07-04 09:24:31 浏览：2397

HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。立维创展HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

品牌	型号	描述	货期	库存
ADI	HMC7912LP5E，HMC7912LP5ETR	GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz	现货	102

HMC7912LP5E应用

点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信

传感器

HMC7912LP5E优势和特点

转换增益：15 dB（典型值）
边带抑制：22 dBc（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）
输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
RF回波损耗：15 dB（典型值）
LO回波损耗：15 dB（典型值）
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

HMC7912LP5E结构图

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