ADRF5130BCPZ是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm（典型值）输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型偏置电流为1 mA，使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。

ADRF5130BCPZ应用

• 蜂窝/4G基础设施
• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备

• 引脚二极管替代器件

ADRF5130BCPZ优势和特点

• 反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔离度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率处理
  • 连续平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高线性度
  • 0.1 dB压缩(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD额定值
  • 人体模型(HBM)：2 kV，2级
  • 充电器件模型(CDM)：待定
• 单正电源
  • VDD：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • VCTL： 0 V 或 5 V
• 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)

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