CREE的CMPA2935150是款高功率两级MMIC,选用QFN封装形式,能够实现紧凑型模块化设计并有利于安装。CMPA2935150可以提供150W的脉冲输出功率。
ADI电荷积分放大器将x光线或光敏二极管检波器搜集的电荷转化成模拟电压。通道由CMOS晶体管组合而成,ADI电荷积分放大器选用常见高输入阻抗的CMOS栅极。
UMS的CHA2159-99F是款四级低噪音中功率放大器。芯片背面同时微波射频和直流接地。这优化了安装过程。
Wolfspeed的CGHV35120F是专为高效化而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益;和宽带宽性能;这就使得CGHV35120F特别适合2.9-3.8GHz雷达放大器应用领域。
RF-Labs提供多种类型来保障高至50GHz信号分配应用。RF-Labs功率分配器选用表面贴装技术,安装简便,占用空间小,并且满足RoHS标准规定。
MITEQ载波驱动调制器就是将调制信号输送到载波上,方式就是用调制信号来控制载波参数值,使载波的一个参数或者多个参数根据调制信号基本规律改变。
ALN0138-40-5307NW射频低噪声放大器在诸多无线通讯和射频应用领域中起着至关重要的作用,提供功率放大和噪声极小化,从而提高接收性能、拓展通信范围及提供重要的数据通讯。
RADITEK陶瓷带通滤波器是一种通过陶瓷材料制成电子器件,适用于过滤电路板上高频干扰和低频振荡信号。
Anritsu提供V110-1微带弹性触片("滑动触体"),该触体可以在出现温度波动、碰撞或震动时对连接提供保护。V103F-012的触体主要用于微带线宽度为0.15mm微带和共平面介质波导。
Qorvo的QPM2239是款封装的高功率Ku波段放大器模块,选用Qorvo制造的0.25μm碳化硅基氮化镓(QGaN25)工艺技术。QPM2239包含13-15.5GHz,提供80W饱和输出功率和29dB小信号增益值,从而实现>25%的功率额外效率。
AMCOM的AM032006LN-P1是款宽带低噪声放大器模块。为通用型应用需求设计。AM032006LN-P1的频率范围为300MHz至2000MHz,相位噪声为0.5dB,小信号增益值为40dB。
Anaren的X4BD20L1-50200G是款超小型低剖面均衡到不均衡变压器,致力于5G技术应用的差分输入输出需求设计。X4BD20L1-50200G是批量生产的最佳选择。X4BD20L1-50200G适合于磁带和卷轴,用作大规模的获取和存放制造。
KRYTAR的新型产品110050010提高了多功能带状线设计的选择,这些设计在10.0至50.0GHz的宽带频率范围内以单一、紧凑型和轻量级的封装展现出优异的耦合。
2420-04SF连接器根据Southwest Microwave严苛的性能质量标准设计,经久耐用,具备360°突起屏蔽环,2420-04SF操作温度额定值为-55°C至+165°C。
MACOM KV CAPSTM硅高压电容器凭借着创新的内部结构和高品质的电介质,具有极高的额定电压、极低的损耗和优秀的稳定性能。
美国MA-COM公司是一家有着悠久历史的射频微波领域头部元器件厂商,涉及市场包含航空航天、通信、数据中心、工业制造等。
UMS的CHA5659-98F是款四级单片GaAs高功率放大器,输出功率为1.3瓦。CHA5659-98F是极度线性的,具备可能出现的增益控制并集成化功率检测器。包含ESD保护。
Wolfspeed的CMPA2738060是款根据氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。与硅或砷化镓相比较,GaN具有更加优异的性能;包括较高的击穿场强;较高的饱和电子偏移效率和较高的导热系数。
QORVO的QPM1021是款封装高功率放大器,选用Qorvo制造的0.15umGaNonSiC工艺技术。QPM1021的频率范围为10–12GHz,具备100W(50dBm)的饱和输出功率、20dB的大信号增益值和超出32%的功率额外效率。
手动可调移相器是指通过调整触发角去实现相位差调节的装置。手动可调移相器通过调整其控制信号的触发角,能够实现电流的延时或提前,从而优化电压波形的相位差。RF-LAMBDA手动可调移相器具备各种各样频率和相位调节范围系列的手动控制移相器。