ATM Microwave的P160和P260系列移相器90°/GHz在1GHz时完成90°最小相位差,实际上相位差线性改变,对应着模块运作的频率。
Mi-Wave的115系列法拉第隔离器在宽带介质波导设计上选用法拉第旋转工作原理,从而实现整体波导频段的高隔离度。
MCLI具备IS系列射频隔离器解决方案,主要包括内嵌式、表面贴装技术、定制开发集成和波导配置,频率段包含0.1 - 40.0GHz。
DT8016p隧道二极管探测器具备125Ω的极低输出阻抗,频率范围包括8.0-16.0GHz,广泛使用在电源电路或高频谐振电路中。
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模块。QPA3333选用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片,频率范围为 45 MHz 至 1218 MHz。
AMCOM的AM09012541WM-B-XX是款宽带GaAs MMIC功率放大器。具备25dB的小信号增益值,在8V偏置电压和5%脉冲运作下,在8至11GHz频段中具备42dBm的输出功率。
Ironwood Electronics通过智能配置拓展了该性能卓越插座功能模块。IC插座计数器的额定使用寿命一般为 2K 至 500K 周期。IC插座计数器能够将数字计数器集成到插座盖的压缩机构里。按键暴露于压缩板上。
适用于PCI Express 5.0的JDSU Solutions Xgig 5P16分析仪/练习器/干扰器平台是一个集成系统,允许分析仪在同一平台上实现、锻炼者和干扰者功能使用户能够经济高效地配置设备,以最好地满足他们的个人和特定要求。
PULSAR的SP2T引脚二极管开关可选用 20 MHz 至 18 GHz 的吸收式和反射式设计方案。又可称为单刀双掷,缩写为SPDT或SP2T。SP2T引脚二极管开关的典型VSWR性能指标为1.6:1或者更高,输入功率处置最高值为 200 mW。
CHA3689-99F被设计用作从国防军事到商业通讯系统的普遍使用。CHA3689-99F选用pHEMT工艺技术,栅极尺寸为0.25um,通孔横穿基板,空气桥和电子束栅极光刻技术。
CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC);CMPA1D1E030D选用0.25μm栅极尺寸工艺技术。
ADI集成VCO的锁相环适合于通信网络(COMMS)测试和检测(ETM)和航天工程/军事安全(ADEF)应用系统提供本振振荡器和时钟源。ADI集成VCO的锁相环包含窄带和宽带器件,同时支持13.6GHz的频率。
RF-Labs最新的CTX系列高频片式负载通过提供高至64GHz优异的带宽性能。与传统元件相比,CTX系列高频芯片负载信号覆盖范围更广,同时确保多个频率段和应用的最佳回波损耗。客户只需通过单个芯片就能满足各种实际应用的需求,从而减少成本费用。
PIN二极管大部分相似于标准二极管,但因其RF阻抗由外部偏置电流影响。MITEQ PIN二极管的功能多样性使其成为各个产品类型中的各种配置优异搭建模块,从而满足多种配置要求。
Qorvo的QPA3320是款混合推挽放大器模块。QPA3320选用 GaAs/GaN 芯片,频率范围为 40 MHz 至 1003 MHz。
AMCOM的AM08011041WM-00(SN-R)是种宽带GaAs MMIC功率放大器。具备28dB的小信号增益值,在脉冲环境下(5%pwm占空比,1msec脉冲宽度),在8V偏压下,在8.5至10.5GHz频率段上的输出功率>41dBm。
WENTEQ的AW28L3325-FU-4320是款根据两通讯卫星GaAs pHEMT MMIC的宽带低噪声放大器模块,频率范围在26.5至40.0GHz。
RADITEK提供全世界最普遍的波导开关和最佳的性能指标,以及极为激进的价格结构。
Anritsu的K230系列是支架安装的K220系列转接器。K230系列同轴连接器安装在一个"孔径"为 9.5 mm管孔内。
Anaren的BD2326L50200AHF是款超小型低剖面平衡到不平衡变压器,通常用于新一代无线网络芯片产品上的差分输入输出部位,选用简单易用的表面贴装封装形式,包含802.11b+g+n。