CREE CMPA2935250S是一款适用于3.1 GHz到3.7 GHz频率范围的氮化镓(GaN)MMIC功率放大器,具有高功率密度、宽带宽、60%以上效率、28dB增益、250W输出功率和50V工作电压,适用于民用和军用脉冲雷达放大器。
North Hills的NHDB16203超紧凑型耦合器,适用于空间有限和重量敏感的应用,如飞机表面安装,满足MIL-STD-1553标准,易于安装。
RADITEK的R2SC-5-500M-Sm-0.25W-z4,5至500MHz,2路功率分配/合成,插入损耗4.0 dB,隔离度15 dB,适用于无线通信和射频信号处理。
Anritsu的AG5PB6P差分线性放大器,56Gbaud,3.0Vppd输出,增益-12dB至+15dB,功耗1.8W,适用于测量设备和400GbE光调制器。
Anaren的PD0409J5050S2HF功率分配器,频率390~900 MHz,低剖面0.5mm,50Ω阻抗,低插入损耗,需外置电阻,适用于高容量生产。
Aeroflex-Weinschel AF119A-99-31步进衰减器,频率DC至18 GHz,衰减0至99 dB,步长1 dB,支持2 W功率,适用于50欧姆系统。
KRYTAR双定向耦合器覆盖1至50GHz,提供10、16、30 dB耦合比,低插入损耗和VSWR,适用于监控功率。
SOUTHWEST 1893-03A-7是一款1.85mm公头端发射连接器,频率范围高达67 GHz,适用于高频微波和毫米波应用。其特点包括精密设计、广泛兼容性(支持0.090至0.210英寸PCB厚度)和高可靠性。主要应用于雷达系统、卫星通信、高速数据传输和测试测量设备等领域。
RWPSHTD580D180是一款高性能手动波导移相器,频率最高可达110GHz,适用于宽带操作。其特点包括高频率操作、高功率处理、低插入损耗、宽温度范围(-40°C至+85°C),并提供定制服务。主要用于调整传输信号相位,提高系统能效和可靠性。环境规范包括宽操作和存储温度范围、高海拔、耐振动和湿度,以及在高功率运行时需要风扇冷却。
QPB0220是一款宽带GaN固态功率放大器,频率范围2至18 GHz,提供高达225W的饱和功率,适用于电子战和雷达应用。其特点包括固态可靠性、高效率、低SWaP、高功率输出,技术参数如功率增益8至12 dB,输出功率53.5 dBm,工作电压18 V。
AM003044WM-BM-R是一款宽带SPDT T/R电源开关芯片,频率范围DC至3.0GHz,插入损耗小于2dB,隔离度超过30dB,支持高达30W射频功率,切换时间小于5ns,适用于T/R模块和仪器设备。
RLC Electronics的精密同轴端接产品提供了多种型号,覆盖宽频范围,并具有多样的连接器和功率范围。这些高功率终端装置适用于50 ohm系统,能在整个射频频率范围内提供低VSWR终端。
Q10HK-1900R-SMA定向耦合器由Electro-Photonics生产,频率范围1500-2200 MHz,功率15 W,插损0.45 dB,耦合度10 ± 0.5 dB,方向性20 dB,VSWR 1.35,工作温度-55至+85 °C,适用于射频信号处理和监测,是通信和射频系统设计的理想选择。
IS-1.950 SMA母头射频隔离器,频率1.7-2.2GHz,SMA-Female连接器,50欧姆阻抗,VSWR 1.20:1,插入损耗0.35dB,隔离度22dB,操作温度-20°C至+65°C,功率150W前向,适用于通信、雷达等高要求射频应用。
KR Electronics陷波滤波器20Hz-2235MHz
NEL Frequency Controls的O-CI-LF系列OCXO是一款10MHz晶体振荡器,采用25x25mm 6-DIP封装,工作温度-10°C至70°C,稳定性达±10ppb,提供超低相位噪声选项,适用于高精度仪表、电信、数据通信、GPS和测试设备。
ATM Microwave生产的500W同轴N型端接器,功率高达500W,适用于广泛频率范围,具有低VSWR,尺寸为10.44x4.50x2.60英寸,采用6061-T6铝合金,表面IRRIDITE处理,适合通信、雷达等高功率应用。
Mi-wave的971系列I/Q混频器,射频范围DC至110 GHz,中频范围DC至5 GHz,提供低转换损耗和多种中频输入选择,适用于通信设备、雷达系统和测试与测量等领域。
Cernex的CNP05063625是一款高性能时钟恢复和正向纠错系统驱动放大器,支持高达40Gb/s的数据速率,提供36 dBm输出功率,采用单正压电源和低增益纹波设计,适用于电信和光纤通信系统,支持定制和多种可选功能。
Teledyne Cougar的MMP18641双平衡混频器,频率范围6.0至18.0 GHz,具有+12.0 dBm的输入阻塞点,转换损耗5.0 dB,LO驱动+7.0 dBm,隔离度40.0 dB,适用于-65°C至+150°C的储存温度,峰值RF输入功率在25°C时为+22 dBm。