MACOM现货MRF321主要设计用于200-500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和预驱动放大器级。在400 MHz,28 Vdc下保证性能:输出功率= 10 W,功率增益= 12 dB min。,效率= 50%min。100%使用30:1 VSWRTesdtedc测试所有相角的负载不匹配
MACOM代理商现货PH3135-20M航空航天与国防NPN硅微波功率晶体管, 密封金属/陶瓷封装内部输入和输出阻抗匹配,金金属化系统。
MACOM现货MRF426用于1.5至30 MHz HF / SSB设备中的高增益驱动器和输出线性放大器, 额定28 V,30 MHz特性:输出功率= 25 W(PEP),最小增益= 22 dB,效率= 35%,互调失真@ 25 W(PEP)-IMD = -30 dB(最大值)。
MACOM现货MRF314用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和输出放大器,保证150 MHz时的性能,28 Vdc:输出功率= 30 W,最小增益= 10 dB,高可靠性应用的金金属化系统。
MACOM现货MRF10031专为960-1215 MHz长或短脉冲公共基极放大器应用而设计,如JTIDS和Mode-S发射器。保证性能@ 960-1215MHz,36Vdc,金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性。
MACOM现货MRF455射频功率晶体管 - 硅双极性航空航天功率放大器 ,专为工业,商业和业余无线电设备中的功率放大器应用而设计,频率为30 MHz。 输出功率= 60 W.
MACOM现货代理商MRF454工业商业和业余无线电设备中的功率放大器, 指定12.5 V,30 MHz特性:效率= 50%,最小增益= 12 dB, 输出功率= 80 W.
MACOM代理商现货MRF327航空航天宽带大信号输出放大器, 保证性能@ 400 MHz,28 Vdc:输出功率= 80 W,225至400 MHz频段,最小增益= 7.3 dB @ 400 MHz。
PH1214-100EL射频功率晶体管 - 硅双极性, 通用基本配置密封金属扩散发射极镇流电阻器 符合RoHS标准,MACOM现货代理商
MRF421高功率线性放大器射频功率晶体管主要设计用于2.0至30 MHz的高功率线性放大器。100%测试所有相位天使的负载不匹配,具有30:1的VSWR, MACOM代理商现货
PH2226-110M射频功率晶体管陶瓷封装,NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准, 扩散发射极镇流电阻器,金金属化系统,MACOM代理商现货出售
MACOM现货代理商的MRF392主要设计用于30至500 MHz频率范围内的宽带大信号输出和驱动放大器级。指定的28 V,400 MHz特性:输出功率= 125 W,典型增益= 10 dB,效率= 55%(典型值)。
MRF1150MB射频功率晶体管 - 硅双极性设计用于短脉冲TACAN,IFF和DME发射器中的B类和C类共基极放大器应用。保证性能@ 1090 MHz,50 Vdc - 输出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB, MACOM现货代理商热销。
MRF422主要设计用于2.0至30 MHz的高功率线性放大器,额定28 V,30 MHz特性:输出功率= 150 W(PEP),效率= 40%,最小增益= 10 dB,100%测试所有相位天使的负载失配,具有30:1的VSWR, MACOM现货
MRF429射频功率晶体管主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于海洋和基站设备。
PH1214-220M硅微波功率晶体管陶瓷封装 符合RoHS标准,密封金属/陶瓷封装,扩散发射极镇流电阻器,宽带C类操作, 通用基本配置,MACOM现货代理出售。
HMC641ALC4是一款宽带反射GaAs pHEMT SP4T开关,采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为DC至20 GHz,具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。
HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关,采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz,具有高隔离和低插入损耗。
ADI现货HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关,采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。
ADI现货HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB(典型值)的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。