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K波段放大器芯片MAAP-118260线性功率放大器
2018-11-30 15:57:47K波段放大器芯片MAAP-118260是一款封装的线性功率放大器，工作频率范围为17.7 - 26.5 GHz。该器件提供28.5 dB增益和37.0 dBm输出三阶截取点（OIP3），输出P1dB超过28.5 dBm。该功率放大器采用无铅，完全模制的5 mm，24引脚QFN封装，由四级功率放大器和集成的片上功率和包络检测器组成。
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蜂窝回程线性Ku波段功率放大器MAAP-110150
2018-11-30 15:55:20MAAP-110150是一款封装的线性Ku波段功率放大器，工作频率范围为10.0 - 15.35 GHz。该器件通常提供30 dB增益和40 dBm OIP3，输出电压超过31 dBm P1dB。该功率放大器采用无铅，完全模制的5 mm QFN封装，由3级功率放大器和集成的片上峰值功率检测器和包络检波器组成。
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K波段线性功率放大器MAAP-018260
2018-11-29 16:49:00MAAP-018260是一款K波段封装的线性功率放大器，工作频率范围为17.7 - 26.5 GHz。该器件提供27 dB增益和40 dBm OIP3，输出电压超过30 dBm P1dB。该功率放大器采用无铅，完全模制的5 mm QFN封装，由四级功率放大器和集成的片上功率和包络检波器组成。
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X波段放大器雷达15W功率放大器MAAP-015036
2018-11-29 16:45:36X波段放大器雷达15W功率放大器MAAP-015036，是一款两级GaAs MMIC功率放大器，工作频率为8.5 - 10.5 GHz，饱和脉冲输出功率为42 dBm，大信号增益为18 dB。
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雷达通信系统X波段功率放大器MAAP-015030 MACOM现货
2018-11-29 16:03:02雷达通信系统X波段功率放大器MAAP-015030，两级8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的饱和脉冲输出功率，21dB的大信号增益和40％的功率附加效率。
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Ka波段雷达宽带功率放大器MAAP-015016-DIE
2018-11-29 15:57:00Ka波段雷达宽带功率放大器MAAP-015016-DIE，是一款工作频率为32至38 GHz的宽带功率放大器，饱和输出功率为37 dBm，PAE为23％，信号增益小，为18 dB。
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2.3 W Ka波段功率放大器MAAP-011298
2018-11-29 15:54:37MAAP-011298是一款2.3瓦，4级Ka波段功率放大器，采用无铅5 mm 32引脚AQFN塑料封装。该功率放大器工作在27至31.5 GHz，提供24.5 dB线性增益，2.3 W饱和输出功率和26％效率，同时偏置电压为6 V. MAAP-011298可用作功率放大器级或驱动级更高功率的应用。
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新型高线性度超宽带0.5W GaAs分布式驱动器放大器工作在DC - 30 GHz
2018-11-29 14:43:16CMD292是宽带GaAs MMIC分布式驱动器放大器芯片，工作频率范围为DC至30 GHz。该放大器提供13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+27 dBm，输出IP3为33 dBm（15 GHz）。CMD292采用50欧姆匹配设计，无需RF端口匹配。
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L波段放大器_L波段功率放大器_L波段功率放大器芯片/模块
2018-11-29 10:55:08L波段放大器简介：根据IEEE 521-2002标准，L波段是指频率在1-2 GHz的无线电波波段(波长300.00 - 150.00 mm)，L波段功率放大器芯片/模块在应用方面有电子战（EW）、个人电脑基站、GPS应用、MMDS、无线局域网中继器、14V应用、多频段VSAT、蜂窝基础设施基站等用途。
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采用并联独立偏置门的带OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA
2018-11-29 10:48:48采用并联独立偏置门的带OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA，aN器件具有与GaAs器件相当的噪声系数，同时能够承受非常高的输入驱动器。本文介绍了2～4GHz(S波段)Pout～37dBm的GaN低噪声放大器(LNA)、1．8～3．5dB噪声系数(NF)和48～54dBm输出参考三阶截距点(OIP3)的设计。
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GaN LNA中脉冲恢复时间的研究：第二部分
2018-11-28 15:09:20GaN LNA中脉冲恢复时间的研究，基于我们之前关于脉冲恢复测试的博客，我们提供了具有5至9 GHz带宽的市售GaN MMIC放大器的脉冲恢复时间测量。放大器组装成金属外壳，2.4 mm连接器用于连接测试设备。
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GaN LNA中脉冲恢复时间的研究：第一部分
2018-11-28 15:04:33GaN LNA中脉冲恢复时间，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其高击穿电压和处理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而众所周知。最近，GaN技术也被用于在微波区域中创建低噪声放大器（LNA），因为GaN的噪声特性与其他半导体材料类似，最值得注意的是砷化镓（GaAs）。
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AM000100PM-BT_ 0.05GHz -100GHz 宽带偏置TEE
2018-11-28 10:44:17AMCOM的AM000 0100PM-BT是宽带偏置TEE。在0.05GHz～10.0GHz频段内，该电路插入损耗小于1.0dB，VSWR优于1.4：1。AM000100PM-BT是在一个小型铝外壳与射频输入和输出SMA连接器。偏置三通可以处理约1瓦的RF功率和可以有多达2.5A的直流电流。
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10W的SPDT T / R开关DC – 11.0GHz——AM00011040TM-CM-R
2018-11-28 10:36:07AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一个宽带SPDT的T/R电源开关在CM封装。在0.05～11.0GHz频段内，其插入损耗小于2.5dB，优于2:1VSWR。这种T/R开关在发射模式（TX ON）下可以处理多达15W的RF功率，在接收模式（RX ON）下可以处理多达1W的RF功率。
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AM000100CP-20超宽带20dB双向定向耦合器DC-10GHz
2018-11-28 10:22:59AMCOM的AM000100CP - 20是一种双向双向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .与SMA连接器有关的AM000100CP - 20在铝合金中的包装
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AM000100DP-20超宽带20dB双向耦合器DC-10GHz
2018-11-28 10:17:31AMCOM的AM0001000-20是一种双向双向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本发明的A000100DP - 20是在一个与SMA连接的铝管中包装的。
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M0040PM-VVP无源模块电压控制相位移相器2-5GHz
2018-11-28 10:10:23AMCOM的AM0040PM-VVP是一个连接的，完全匹配的电压控制相位移相器模块。它具有从2到5 GHz的宽的频率范围。该控制简单地通过改变0至25伏特的直流输入电压（Vctrl）来实现。
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AM0040PM-VVA无源模块电压控制衰减器DC-4GHz
2018-11-28 10:04:01MCOM的AM0040PM-VVA是一个连接的，完全匹配的电压控制衰减器模块。它具有从DC到4 GHz的宽的频率范围。它还具有高线性性能。该控制仅通过改变1-5伏特的直流输入电压（Vctrl）来实现。此外，该模块需要2.7V的外部固定电源电压(V.)。
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MAAD-007082-000100集成TTL驱动器GaAs FET 6位数字衰减器
2018-11-27 16:14:15MACOM的MAAD-007082-000100是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 6位数字衰减器。步长为1 dB，总衰减范围为50 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAAD-007082-000100非常适用于要求精度，速度快，功耗极低和成本低的场合。
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TTL驱动器5位数字衰减器MAAD-007081-000100
2018-11-27 16:07:58MACOM的MAAD-007081-000100是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 5位数字衰减器。步长为0.5 dB，总衰减范围为15.5 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAAD-007081-000100非常适用于要求精度，速度快，功耗极低和成本低的场合。