我们很高兴地宣布,我们最新的标准化GaAs和GaN MMIC设计目录已达到150多种器件,2018年将推出30种新产品。 2018年发布的产品包括:8个低噪声放大器MMIC,2个驱动器放大器MMIC,2个功率放大器MMIC,2个混频器MMIC,1个移相器MMIC,2个乘法器MMIC,4个开关MMIC和8个数字衰减器MMIC。完整的产品列表可以在下面查看。
PH1617-2无线双极2W功率晶体管专为线性放大器应用而设计,具有扩散发射极镇流电阻器、通用发射器配置、内部输入阻抗匹配等特征。
PH1214-6M/PH1214-80M微波功率晶体管,具有1.2-1.4 GHz,100μs脉冲,10%负载以及150μs脉冲、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等特点。
PH1214-55EL微波55W脉冲功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、通用基本配置、1.2-1.4 GHz,1ms脉冲,10%负载 等特点。
PH1214-40M雷达40W脉冲功率晶体管,具有.2-1.4 GHz,150μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、高效数字间几何、通用基本配置等特征。
PH1214-3L雷达脉冲功率晶体管3W,具有通用基本配置、宽带C类操作、 扩散发射极镇流电阻器、内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、NPN硅微波功率晶体管等特征。
PH1214-300M雷达脉冲功率晶体管300W,具有金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、符合RoHS标准、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配等特征。
PH1214-25L/PH1214-25M航空航天射频功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、通用基本配置等特点。
PH1214-12M/PH1214-220M微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、高效数字间几何、宽带C类操作、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-110M通用NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、金属化系统、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-0.85L密封金属陶瓷封装NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等。
PH1113-100国防NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、金属化系统等特征。
PH1090-75L航空航天NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-700B通用基本配置NPN硅射频功率晶体管,具有 符合RoHS标准、金金属化系统、 宽带C类操作、内部输入和输出阻抗匹配等特征
PH1090-550S宽带C类操作功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-350L射频微波功率晶体管,具有通用基本配置、符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1090-175L封装NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置、宽带C类操作等特点。
PH1090-15L宽带C类NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、 高效数字间几何等特征。
MRF587设计用于高增益,低噪声,超线性,调谐和宽带放大器。适用于CATV,MATV和仪器仪表应用。具有全金属金属系统、离子注入、镍铬合金发射极镇流器电阻器等特点。
MRF448A主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器,适用于船舶和基站设备。额定50 V,30 MHz特性:输出功率= 250 W,最小增益= 12 dB,效率= 45%。