ATM Microwave生产制造波导同轴直角适配器包含矩形波导和双脊波导的整体频率范围,提供各种法兰和同轴连接器的类型和配置。
采用JDSU天线校准解决方案校准、监测和汇报天线方向角、倾斜度和滚动值。
Teledyne防务电子的无ITAR、低噪声放大器(LNA)系列包含了广泛的技术应用,但主要应用在通信系统,包含数据链路和卫星通讯(SATCOM)系统。Teledyne防务电子新的K波段低噪声放大器的工作范围为19.2-21.2GHz,在25°C下的噪声系数为1.3dB。
MegaPhase线缆ChipSet测试和测量电缆组件为测试环境提供了个较小尺寸的解决方案,包括高密度夹具板和其它板载连接。MegaPhase线缆ChipSet测试和测量电缆组件的最高频率为40GHz,具备更强的灵活性、低插入损耗和低电容,并可实现低损耗功率数据传输。
PULSAR微波的3路功率分配器/组合器涵盖了从500MHz到35GHz的各种类型连接器器件。针对1.20:1或更高的负载VSWR,PULSAR微波的3路功率分配器/组合器的额定值最大输入功率为30瓦。
GaN材料是第三代半导体的典型代表,具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此,GaN材料可以很好地满足耐高温、高频率和功率大的工作要求,GaN功率晶体管一直是L和S波段雷达系统中线性和压缩功率放大器的有源元件。
CREE的CMPA0530002S是无与伦比的氮化镓(GAN)高电子迁移率晶体管(HEMT)专为高效率设计制作;具有高增益和宽带性能。CREE GaN MMIC放大器CMPA0530002S在28伏导轨上作业,封装在3mmx4mm内;表面封装;双平面无铅(DFN)封装。
ADI集成LO的IQ解调器是高度集成的解调器和频率合成器,特别适合于下一代通信系统。ADI集成LO的IQ解调器具备丰富的功能,包括高线性度宽带I/Q解调器、集成分数分频锁相环(PLL)和低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。
Marki表面贴装MMIC驱动放大器经过调优,可驱动混频器、IQ混频器、倍频器和NLTL梳状发生器,具备仅正偏压、低相位和高PAE等便于和启动功能。ADM放大器提升了Marki高性能T3和MT3混频器的线性度。
针对需要宽带平坦度和0至69dB范围内可调节性的技术应用,MITEQ有大多数步进衰减器,它们借助了薄膜固定衰减器的平坦度性能。一个典型的例子是MITEQ 745/4745系列转台衰减器,它采用机械布局的固定衰减器,允许以离散增长连续步进。
同轴衰减器是种包含电阻材质的能源损耗性射频/微波元器件。除常见的电阻固定衰减器外,还有电机控制迅速控制衰减器。衰减器广泛使用于各种各样需要电平控制的场所。
RF-Labs精密测验电缆组件ASR和ASR-F系列测试电缆致力于最大限度地提升测验使用的可重复性,以在数百个测验周期内保持不变的结果。RF-Labs精密测验电缆组件的每一个产品都是为耐用性和优越的工作频率性能而设计的。
MCLI射频功率分配器和组合器可以满足在数个输入或输出之间分离或组合数据信号的规定要求。在实施这些任务时,这些实用性设备还需要为所有信号源维持适当的负载阻抗,并提供隔离。
ARRA压控调制器是电压控制的衰减器或调解器。整合混合线性化器每伏10dB控制作用。ARRA压控调制器展现低插入损耗,在全部设定下不反射。
功率限制器是用来电流模式调节升压转换器电路的高功率因数AC/DC转换器。功率限制器包涵整流滤波电路,整流管的输出与升压电感和输出二极管串联,功率管并联在升压电感后端和地之间,整流滤波电路的输出端凭借电压反馈互联网与变频器调节芯片连接。
RADITEK具备全球范围最广、性能最好的带状线、微带线、同轴和波导隔离器及环行器。RADITEK同轴隔离器和环行器在低频(300MHz -399MHz)下的售价结构极为激进。RADITEK铁氧体是任何地方最好的。
Anritsu射频检测图可用来确定电桥电路/自动检测仪VNA的方向性产生的测量误差。“X dB低于参考”列表示方向性和检测全反射(回波损耗)之间的差别。
Anaren的Xinger ®-系列定向耦合器为客户提供行业内同类别产品中最低标准的损耗。Anaren的10、20和30dB耦合器主要用于功率和频率检验应用领域,及其需要严格把控耦合器和低插入损耗的条件下的VSWR数据监测。
Aeroflex的正向和反向双向带状线耦合器及其90度和180度混合耦合器提供6dB、10dB、20dB和30dB的耦合值。Aeroflex混合耦合器具备较高的方向性和较低的VSWR,并通过保守评级,以保障最安全可靠的服务管理和性能指标。Aeroflex混合耦合器的体积使其特别适合涉及到高密度封装的技术应用。
KRYTAR研发了一系列宽带PIN肖特基二极管限幅器,主要用于0.5至18GHz的技术应用。KRYTAR宽带PIN(正-本征-负)二极管制作具备极低的插入损耗,最高为2.5dB,并且是圆柱型同轴封装,可供应SMA母头输出和SMA公头输入连接器。