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CMPA601C025F功率放大器现货库存
2026-06-03 16:37:40CMPA601C025F是一款基于GaN HEMT（SiC衬底）的X波段功率放大器，采用金属/陶瓷法兰封装，耐温-40°C~+150°C，适用于雷达发射、电子战干扰、卫星通信及5G基站C-band等高功率射频场景。
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HMC641ALP4E单刀四掷（SP4T）射频开关芯片
2026-06-03 16:33:00HMC641ALP4E是Analog Devices（原Hittite Microwave）推出的一款GaAs MMIC单刀四掷（SP4T）非反射式射频开关，工作频段覆盖0.1~20 GHz，采用24引脚LFCSP封装，仅需2路负逻辑控制线即可通过片内2:4解码器选择4条通道中的任意一条，隔离端口内置50Ω终端，无信号反射，适合驻波比敏感的系统。
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RFHIC：韩国GaN射频龙头，军工与5G微波器件核心厂商
2026-05-29 16:42:59RFHIC（Radio Frequency Hybrid Integrated Circuit）是韩国GaN射频微波龙头企业，专注SiC基氮化镓技术路线，集芯片、器件、功率模块与微波子系统研发制造于一体，核心产品涵盖GaN射频晶体管、GaAs MMIC、混合放大器/低噪放、固态功率放大器（SSPA）及T/R模块等。
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ADM-10711PSM 超低功耗低噪声放大器
2026-05-29 16:38:05ADM-107111PSM是Marki Microwave推出的一款X波段（8～12 GHz）超低功耗低噪声放大器，具备29.1 dB高增益、1.4 dB低噪声系数及3 dBm OP1dB，在+3～+6 V单电源供电下工作电流仅8 mA，采用3 mm QFN封装，支持-40°C至+85°C工作，RF端口内部50Ω匹配且直流隔离，仅需一颗0.1μF旁路电容即可工作，符合RoHS/REACH、ESD HBM Class 0/1A。
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LNA-20-01000200-10-15P低噪声放大器
2026-05-29 16:36:10LNA-20-01000200-10-15P是Narda-MITEQ（现属L3Harris）推出的一款L波段（1.0~2.0 GHz）低噪声放大器，具备20 dB增益、1.0 dB超低噪声系数及+15 dBm P1dB输出功率，在+15 VDC供电下工作电流约225 mA，支持-55°C至+85°C宽温工作，输入输出均为50Ω标准匹配、VSWR 2:1，内置稳压并支持无条件稳定工作，采用SMA连接器的气密模块封装。
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AIP0115-26-4012输入保护低噪声放大器
2026-05-28 16:44:29AIP0115-26-4012是WENTEQ推出的AIP系列高性能输入保护低噪声放大器（LNA），内置输入保护电路可有效防止过功率损坏，是该系列中增益最高的型号，广泛应用于无线通信基站、雷达系统、电子战、卫星通信及电子测试设备等射频接收前端场景。
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杰夫微电子GLF：专注超低功耗电源管理芯片的国产模拟IC企业
2026-05-28 16:42:19杰夫微电子（GLF Integrated Power）成立于2016年，总部位于四川成都，是一家专注超低功耗电源管理芯片的国产Fabless模拟IC企业，核心产品涵盖电源负载开关、电池保护芯片、LDO、DC-DC、理想二极管及车规级负载开关等。
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JST——全球领先的高可靠性连接器与压接端子制造商
2026-05-28 16:39:26JST（日本压着端子制造株式会社）成立于1957年，总部位于大阪，是全球连接器行业前十的知名品牌，以无焊接压着端子技术起家，拥有PH、SH、XH、SR等主流连接器系列及配套压接工具与自动化设备，产品以小型化、高密度、高可靠性著称。
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RADC-12-15-MSSMY-10WR （7.5×6.0）-b微带插入式环行器
2026-05-25 16:33:41RADC-12-15-MSSMY-10WR（7.5×6.0）-b是RADITEK品牌推出的微带插入式（Drop-in）Y型三端口环行器，采用微带基板加金属背衬（MSSMY）结构，支持10W连续波功率容量，金属背衬设计可直接安装于机箱或PCB上，兼具优异散热与高机械强度。
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34RSN50精密适配器
2026-05-25 16:30:4834RSN50是Anritsu（安立）公司生产的34系列精密加固型射频适配器，采用WSMA（阳头）转N型（阳头）接口，凭借加固刚性连接结构确保微波测试链路的高可靠性与数据高可重复性，外径等效N型设计兼具机械强度与便捷安装。
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X4BD10L1-50100G贴片式平衡-不平衡转换器
2026-05-25 16:27:56X4BD10L1-50100G是TTM Technologies（原Anaren）Xinger® IV系列超小型贴片式平衡-不平衡转换器（巴伦），采用SMD封装，作为纯无源器件无需供电，专为5G射频前端芯片组差分I/O、高速ADC前端信号转换、平衡混频器单端-差分驱动及无线基站推挽放大等高密度、高性能射频应用而设计。
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3406-55可编程衰减器
2026-05-22 16:48:09Aeroflex-Weinschel（现Spectrum Control/API Technologies）3406-55是一款DC～6 GHz可编程步进衰减器，由1/2/4/8/16/24 dB单元通过继电器切换实现，采用12 V DC供电、SMA母头连接，支持非锁定断电归零及可选TTL控制，具备全频段单调性与平坦衰减-频率特性。
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102040020、102040020K定向耦合器
2026-05-22 16:43:16KRYTAR推出的102040020与102040020K是两款覆盖S/C/X/Ku/K/Ka全频段的宽频带射频定向耦合器，两款主要区别在于连接器类型——102040020采用2.4 mm阴头连接器适用于更高频率场景，102040020K则采用2.92 mm阴头连接器（兼容SMA）更便于工程连接，两者均可精准实现射频信号正反向功率耦合监测。
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1375CED嵌入式循环器Nova Microwave
2026-05-22 16:39:56Nova Microwave推出的1375CED是一款表贴式嵌入式（Drop-in）射频微波环行器，采用单结结构，无需焊接即可直接插入PCB插槽，便于高密度板级集成与快速更换。
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2492-04A-14 110GHz毫米波母头窄块连接器
2026-05-19 16:45:262492-04A-14是Southwest Microwave推出的W系列1.0mm端发射毫米波母头窄块连接器，端发射设计有效降低过渡损耗，提供无模式宽带响应，兼容微带线和GCPW布局，支持现场可重复更换，广泛应用于5G/6G基站、毫米波测试仪器、半导体测试板及无线AP等高频场景。
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MASWSS0201单刀双掷 SPDT 端接射频开关
2026-05-19 16:42:33MASWSS0201是MACOM（M/A-COM）推出的一款宽带GaAs PHEMT MMIC单刀双掷（SPDT）端接射频开关，采用优质砷化镓工艺打造，具有低插入损耗、高隔离度，展现出优异的线性度与大功率处理能力。
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QM12114单刀四掷（SP4T）射频开关
2026-05-19 16:40:03QM12114是Qorvo推出的一款单刀四掷（SP4T）射频开关，工作频率覆盖698 MHz至6000 MHz，专为GSM、CDMA、WCDMA、LTE等主流移动通信频段优化，具备0.23~0.6 dB的低插入损耗和39~53 dB的高端口隔离度，同时拥有高线性度与大功率处理能力。
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RFCI SMA连接器通孔安装型同轴环形器（通信频段）
2026-05-18 16:36:52RFCI（RF Circulator Isolator, Inc.）生产的SMA连接器通孔安装型同轴环形器是一款面向通信频段的微型薄型封装同轴环形器，标准配置为SMA母头（可选公头），采用法兰盘通孔安装结构支持顶部标准五金固定，具备低插入损耗、高隔离度、高回波损耗及高功率承受能力。
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CMD182C4 C、X波段射频/微波I/Q混频器
2026-05-18 16:34:24CMD182C4是Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款紧凑型GaAs无引线SMT贴装I/Q混频器MMIC，采用4.0×4.0 mm陶瓷QFN-24完全钝化无铅封装（符合RoHS），体积小巧易于PCB布局，是单边带上变频与镜像抑制电路的理想核心器件。
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AM153040WM-FM-R超宽带MMIC功率放大器
2026-05-18 16:31:43AM153040WM-FM-R是一款基于GaAs PHEMT工艺的2级HIFET超宽带MMIC功率放大器，采用FM陶瓷封装配镀金铜法兰载体，RF/DC引脚位于底层便于低成本SMT贴装，FM-R版本带螺丝孔支持法兰机械固定与散热，特别建议直接安装在金属散热片上以应对高直流功耗。