S波段高压砷化镓场效应晶体管AM030MH4-BI-R

发布时间：2018-11-07 11:32:45 浏览：2116

描述

AMCOM的AM030MH4-BI-R是双系列GaAs HIFET的一部分。HIFET是部分匹配的专利设备配置的高电压，高功率，高线性度和宽带应用。该器件的总器件外围为12mm。AM030MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达3GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线和凸缘安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。

品牌	型号	货期	库存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

如若您需要购买AM030MH4-BI-R ，请点击右侧客服联系我们！！！

特征
28伏
宽带部分匹配：直流-2.4GHz
高达3 GHz的高频操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高线性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz

用于有效散热的陶瓷封装

应用
宽带应用
高电压20～28伏
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和超局域网
C波段VSAT
航空电子通信

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: C波段VSAT高功率宽带应用AM032MH4-BI-R