S波段高压砷化镓场效应晶体管AM030MH4-BI-R
发布时间：2018-11-07 11:32:45 浏览：2045
描述
特征
28伏
宽带部分匹配：直流-2.4GHz
高达3 GHz的高频操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高线性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
宽带应用
高电压20～28伏
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和超局域网
C波段VSAT
航空电子通信
AMCOM的AM030MH4-BI-R是双系列GaAs HIFET的一部分。HIFET是部分匹配的专利设备配置的高电压，高功率，高线性度和宽带应用。该器件的总器件外围为12mm。AM030MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达3GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线和凸缘安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| AMCOM | 511AM030MH4-BI-R RLB | 1周 | 50 |
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28伏
宽带部分匹配：直流-2.4GHz
高达3 GHz的高频操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高线性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
用于有效散热的陶瓷封装
宽带应用
高电压20～28伏
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和超局域网
C波段VSAT
航空电子通信
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