S波段高增益高功率砷化镓场效应晶体管AM120MH2-BI-R
发布时间：2018-11-05 15:21:31 浏览：1989
描述
特征
14伏
高达6 GHz的高频操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高线性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
宽带应用
高电压10～14V
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和HyLLA
航空电子通信
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET双系列的一部分。HIFET是部分匹配的专利设备配置，用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为24mm。AM120 MH22-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。
| 品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
| AMCOM | AM120MH2-BI-R | 1周 | 80 |
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14伏
高达6 GHz的高频操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高线性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用于有效散热的陶瓷封装
宽带应用
高电压10～14V
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和HyLLA
航空电子通信
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